[发明专利]一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法在审
| 申请号： | 201510167905.2 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104805479A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李南生;王锋涛;黄斌;夏超华 | 申请（专利权）人： | 四川金湾电子有限责任公司 |
| 主分类号： | C25D3/40 | 分类号： | C25D3/40;C25D7/12 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 胡林 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述电镀铜的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入电镀液中进行电镀铜，所述电镀液包括如下成分：氰化亚铜30～50g/L；氢氧化钾5～15g/L；锡酸钠5～15g/L；由于锡酸钠的添加，电镀后使得在镀层中含有0.1-0.5%的锡，在表面形成了铜锡复合镀层，相对于现有的铜层来说，铜锡复合镀层与熔融的锡更容易相互润湿，增加沾锡时的浸润性，提高锡与引线框架表面的相互润湿，保证锡层与芯片沾接的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 引线 框架 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述电镀铜的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入电镀液中进行电镀铜，所述电镀液包括如下成分：氰化亚铜 ： 30～50g/L；氢氧化钾 ： 5～15g/L；锡酸钠 ： 5～15g/L。
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