[发明专利]一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述电镀铜的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入电镀液中进行电镀铜，所述电镀液包括如下成分：

氰化亚铜   ：   30～50g/L；

氢氧化钾   ：   5～15g/L；

锡酸钠     ：   5～15g/L。

2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：电镀液的温度为40～60℃，电镀时间为10～20S，电镀电流密度为4～6安培/平方分米。

3.根据权利要求1或2所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：所述电镀液中还包括：

酒石酸钾钠 ：   15～25g/L；

三乙醇胺  ：    10～20g/L；

Copper Glo Brightener 38  ：1.0～2.0ml/L。

4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：所述超声波除油的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入超声波脱脂剂中进行超声波除油，超声波脱脂剂的温度为50～60℃，超声波脱脂剂浓度为50～60g/L，超声波除油时间为10～20S。

5.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：所述电解除油的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入电解除油剂中进行电解除油，电解除油剂的温度为50～60℃，电解除油剂的浓度为50～60g/L，电解除油时间为10～20S。

6.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：所述硫酸中和活化的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架硫酸溶液中进行酸洗，硫酸溶液浓度为3～7g/L，酸洗时间为5～15S。

7.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：所述酸中和的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入硫酸溶液中进行中和，硫酸溶液浓度为0.5～1.5g/L，中和时间为6～10S。

8.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于：所述铜保护的具体工艺要求为：将功率半导体器件引线框架导入保护液中进行浸泡附上铜保护膜，所述保护液中铜保护剂的浓度为0.5～1.5ml/L，保护液的pH值为5～7，温度20～40℃，浸泡时间为10～20S。

9.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法，其特征在于： 所述烘干的具体工艺要求为：烘干的温度120～140℃，时间为15～25S。