[发明专利]TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置

摘要

本发明公开一种TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，为改善TFT的中电极的导电性。所述TFT的制作方法包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，源极和漏极位于栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括：在栅极、源极或/和漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层。在本发明提供的TFT的制作方法中，在栅极、源极或/和漏极的表面分别形成一层防氧化的金属保护层，因而可以避免在后续的工艺中引起栅极、源极或/和漏极的氧化，从而改善TFT中的电极的导电性。本发明用于显示器的制造。

主权项

1.一种薄膜晶体管TFT的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在所述衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括：在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层；当所述衬底基板上形成有公共电极时，在所述衬底基板上形成所述栅极的图形的步骤具体包括：在所述衬底基板上逐层依次沉积透明导电层和材料为单质金属的栅极金属层；通过构图工艺，在所述栅极金属层形成材料为单质金属的所述栅极的图形，在所述透明导电层形成所述公共电极的图形；将形成有所述公共电极和所述栅极的所述衬底基板放入退火炉中，对所述公共电极进行退火；将完成对所述公共电极退火后的所述衬底基板浸入溶液中，溶液中含有化学活性比形成所述栅极的单质金属的化学活性低的单质金属对应的金属离子，将材料为单质金属的所述栅极置换为材料为溶液中的金属离子对应的金属单质的所述栅极。