[发明专利]TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管TFT的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极的图形；

在所述衬底基板上形成栅极绝缘层；

形成源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上方；

所述制作方法还包括：

在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层；

当所述衬底基板上形成有公共电极时，在所述衬底基板上形成所述栅极的图形的步骤具体包括：在所述衬底基板上逐层依次沉积透明导电层和材料为单质金属的栅极金属层；通过构图工艺，在所述栅极金属层形成材料为单质金属的所述栅极的图形，在所述透明导电层形成所述公共电极的图形；将形成有所述公共电极和所述栅极的所述衬底基板放入退火炉中，对所述公共电极进行退火；将完成对所述公共电极退火后的所述衬底基板浸入溶液中，溶液中含有化学活性比形成所述栅极的单质金属的化学活性低的单质金属对应的金属离子，将材料为单质金属的所述栅极置换为材料为溶液中的金属离子对应的金属单质的所述栅极。

2.根据权利要求1所述的TFT的制作方法，其特征在于，所述金属保护层为单质金属保护层，所述栅极、所述源极或/和所述漏极为单质金属电极，且形成所述单质金属电极的单质金属的化学活性高于对应的所述金属保护层的单质金属的化学活性。

3.根据权利要求2所述的TFT的制作方法，其特征在于，所述金属保护层的形成过程为：将形成有所述单质金属电极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述单质金属电极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间发生置换反应，在所述单质金属电极的表面形成所述金属保护层。

4.根据权利要求1-2任一所述的TFT的制作方法，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极的表面各形成一层所述金属保护层，且所述栅极、所述源极和所述漏极均为单质金属电极，形成所述栅极、所述源极和所述漏极的单质金属的化学活性高于形成所述金属保护层的单质金属的化学活性；

在所述栅极的表面形成一层防氧化的所述金属保护层的步骤包括：

将形成有所述栅极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述栅极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间发生置换反应，在所述栅极的表面形成所述金属保护层；

在所述源极和所述漏极的表面各形成所述金属保护层的步骤包括：

将形成有所述源极和所述漏极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述源极和所述漏极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间的置换反应，在所述源极和所述漏极的表面各形成所述金属保护层。

5.根据权利要求4所述的TFT的制作方法，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均为铜电极；所述金属保护层为银保护层。

6.根据权利要求1所述的TFT的制作方法，其特征在于，

在所述衬底基板上沉积栅极绝缘层之后、在形成所述源极和所述漏极之前还包括：

在所述栅极绝缘层上形成有源层的图形，所述源极和所述漏极位于所述有源层上。

7.一种TFT，其特征在于，所述TFT采用如权利要求1-6任一所述的TFT的制作方法制得，所述TFT包括：设置在衬底基板上的栅极，覆盖所述栅极和所述衬底基板的栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层上方的源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置；其中，在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各覆盖有一层防氧化的金属保护层；

所述衬底基板上设有公共电极，所述公共电极与所述栅极同层设置且相互绝缘。

8.根据权利要求7所述的TFT，其特征在于，所述金属保护层为单质金属保护层，所述栅极、所述源极或/和所述漏极为单质金属电极，且形成所述单质金属电极的单质金属的化学活性高于对应的所述金属保护层的单质金属的化学活性。

9.根据权利要求8所述的TFT，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均为铜电极；所述金属保护层为银保护层。