[发明专利]TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置

说明书

本发明公开一种TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，为改善TFT的中电极的导电性。所述TFT的制作方法包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，源极和漏极位于栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括：在栅极、源极或/和漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层。在本发明提供的TFT的制作方法中，在栅极、源极或/和漏极的表面分别形成一层防氧化的金属保护层，因而可以避免在后续的工艺中引起栅极、源极或/和漏极的氧化，从而改善TFT中的电极的导电性。本发明用于显示器的制造。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置。

背景技术

目前，液晶显示器(Liquid Crystal Display，以下简称LCD)或有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Display，以下简称OLED)相比于阴极射线管(Cathode RayTube，以下简称CRT)显示器具有体积小、重量轻、功耗小、色彩鲜艳、图像逼真等优势，因而LCD或OLED在平板显示技术中已经逐步取代CRT显示器，并开始广泛的应用于电视屏幕、手机屏幕、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

通常，LCD或OLED中设有一块薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称TFT)阵列基板，TFT阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元对应有一个TFT，TFT作为开关器件用于控制对应的像素单元的状态。通常，大面积和高分辨率的LCD和OLED在使用时要求各个像素单元对应的TFT具有较快的开关速度，因而对TFT中的电极的导电性提出较高的要求。

然而，目前TFT中的电极通常采用导电性较好的单质金属作电极材料，构成TFT中的电极的单质金属在后续的工艺中容易被氧化，从而导致TFT中的电极的导电性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT的制作方法，用于改善TFT中的电极的导电性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种TFT的制作方法，包括：

在衬底基板上形成栅极的图形；

在所述衬底基板上形成栅极绝缘层；

形成源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上方；

所述制作方法还包括：

在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各形成一层防氧化的所述金属保护层。

优选地，所述金属保护层为单质金属保护层，所述栅极、所述源极或/和所述漏极为单质金属电极，且形成所述单质金属电极的单质金属的化学活性高于对应的所述金属保护层的单质金属的化学活性。

优选地，所述金属保护层的形成过程为：将形成有所述单质金属电极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述单质金属电极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间发生置换反应，在所述单质金属电极的表面形成所述金属保护层。

较佳地，所述栅极、所述源极和所述漏极的表面各形成一层所述金属保护层，且所述栅极、所述源极和所述漏极均为单质金属电极，形成所述栅极、所述源极和所述漏极的单质金属的化学活性高于形成所述金属保护层的单质金属的化学活性；

在所述栅极的表面形成一层防氧化的所述金属保护层的步骤包括：

将形成有所述栅极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述栅极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间发生置换反应，在所述栅极的表面形成所述金属保护层；

在所述源极和所述漏极的表面各形成所述金属保护层的步骤包括：