[发明专利]一种实现局部互连的方法有效
| 申请号： | 201510142147.9 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104867864B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 亢勇;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体结构及其制备技术领域，尤其涉及一种实现局部互连的方法。本发明通过利用现有刻蚀工艺或者增加特殊的刻蚀工艺，形成接触孔以将深沟槽中的多晶硅接出来用作局部互连线，这样减小了器件互连所用到的面积，从而减小器件的面积，同时还利用相变存储器的结构和制造工艺，将氮化钛和锗锑碲材料用作局部互连线，从而可以制造出更大更精确的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 局部 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现局部互连的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有导电类型的衬底；于所述衬底中形成深沟槽，并于所述深沟槽的底部及其侧壁形成第一绝缘层后，制备导电材料充满所述深沟槽；刻蚀去除部分所述第一绝缘层和部分所述导电材料层，以于所述深沟槽中顶部形成一浅沟槽后，制备第二绝缘层充满所述浅沟槽；部分刻蚀所述第二绝缘层形成接触孔，通过所述接触孔将所述导电材料引出以实现局部互连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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