[发明专利]一种实现局部互连的方法

权利要求书

1.一种实现局部互连的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一具有导电类型的衬底；

于所述衬底中形成深沟槽，并于所述深沟槽的底部及其侧壁形成第一绝缘层后，制备导电材料充满所述深沟槽；

刻蚀去除部分所述第一绝缘层和部分所述导电材料层，以于所述深沟槽中顶部形成一浅沟槽后，制备第二绝缘层充满所述浅沟槽；

部分刻蚀所述第二绝缘层形成接触孔，通过所述接触孔将所述导电材料引出以实现局部互连。

2.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所述导电类型为P型或N型。

3.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，采用深反应离子刻蚀的方法于所述衬底中形成深沟槽。

4.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所述导电材料为掺杂的多晶硅。

5.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为氧化层。

6.如权利要求5所述的实现局部互连的方法，其特征在于，于所述深沟槽的底部及其侧壁形成第一绝缘层的步骤包括：

进行氧化工艺，于所述深沟槽的底部及其侧壁形成氧化层。

7.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，当所述第二绝缘层的厚度小于设定值时，部分刻蚀所述第二绝缘层形成接触孔的步骤包括：

于所述第二绝缘层上表面旋涂光刻胶，并对该光刻胶进行曝光、显影以形成具有图形化窗口的光刻胶；

以该具有图形化窗口的光刻胶为掩膜，采用离子刻蚀的方法部分刻蚀所述第二绝缘层，以形成所述接触孔。

8.如权利要求7所述的实现局部互连的方法，其特征在于，当所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述设定值时，部分刻蚀所述第二绝缘层形成接触孔的步骤包括：

于所述第二绝缘层上表面旋涂光刻胶，并对该光刻胶进行曝光、显影以形成具有图形化窗口的光刻胶；

以该具有图形化窗口的光刻胶为掩膜，采用刻蚀工艺部分刻蚀所述第二绝缘层，以形成所述接触孔。

9.一种实现局部互连的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一相变存储器结构，所述相变存储器结构按照从下至上的顺序依次包括第一氧化层、锗锑碲材料层和氮化钛层和第二氧化层；

部分刻蚀所述第二氧化层形成接触孔，通过所述接触孔将所述氮化钛层和所述锗锑碲材料层引出以实现局部互连。

10.如权利要求9所述的实现局部互连的方法，其特征在于，通过原子层沉积的方式形成所述氮化钛层。