[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510141488.4 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104946146B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/20 | 分类号： | C09J7/20;C09J7/29;C09J7/30;C09J133/08;C09J163/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1‑T2)为20％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 带有 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)、并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，所述T1为80％以上，所述T1与所述T2之差即T1‑T2为20％以下。
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