[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1‑T2)为20％以下。

技术领域

本发明涉及芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，在半导体装置的制造过程中，在向引线框等被粘物固着半导体芯片时使用银浆。所述固着处理通过在引线框的焊盘等上涂敷浆状的胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行。

但是，浆状胶粘剂根据其粘度行为或劣化等在涂敷量或涂敷形状方面产生较大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的固着强度可靠性不足。例如，浆状胶粘剂的涂敷量不足时，半导体芯片与被粘物之间的固着强度降低，在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，浆状胶粘剂的涂敷量过多时，浆状胶粘剂一直流延到半导体芯片上从而产生特性不良，成品率或可靠性下降。这样的固着处理中的问题随着半导体芯片的大型化而变得特别显著。

在该浆状胶粘剂的涂敷工序中，有将浆状胶粘剂分别涂敷到引线框、形成芯片上的方法。但是，该方法难以实现浆状胶粘剂层的均匀化，另外浆状胶粘剂的涂敷需要特殊装置或长时间。因此，以往提出了具有半导体芯片固定用的胶粘剂层的芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。

芯片接合膜在贴合到半导体晶片并与半导体晶片一起被切割后，与所形成的半导体芯片一起从切割胶带剥离。之后，半导体芯片通过芯片接合膜被固着于被粘物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平05-179211号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明人对使用上述的芯片接合膜制造的半导体装置进行了研究。结果查明，半导体芯片的背面由芯片接合膜覆盖，因此即使产生碎片，也很难发现。

本发明鉴于所述问题而进行，其目的在于提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜、及带有切割片的芯片接合膜。另外，在于提供使用该芯片接合膜、或该带有切割片的芯片接合膜而制造的半导体装置。另外，在于提供使用了该带有切割片的芯片接合膜的半导体装置的制造方法。

解决课题的方法

本发明人为了解决所述问题而进行了深入研究。结果发现，通过采用下述构成的芯片接合膜，能够容易地确认半导体芯片的碎片，并完成了本发明。

即，本发明所涉及的芯片接合膜的特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)、并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，所述T1为80％以上，所述T1与所述T2之差(T1-T2)为20％以下。

根据所述构成，所述T1(％)为80％以上，因此在该芯片接合膜粘贴于半导体芯片的背面的状态、且热固化前的状态(例如，切割后的状态)下，能够容易地发现半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。

另外，所述T1与所述T2之差(T1-T2)为20％以下，因此热固化后(例如，在120℃下加热1小时后)也具有某种程度的透光性。因此，即使在热固化后的状态下，也能够容易地发现半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。

可见，根据本发明，在热固化前及热固化后这两个状态下，都能够容易地发现半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。

另外，在伴随热历史的工艺、例如芯片接合、丝焊后，也能够对芯片接合膜的空隙进行目视确认。