[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种芯片接合膜，其特征在于，

将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)、并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，所述T1为80％以上，所述T1与所述T2之差即T1-T2为20％以下，

相对于全部有机树脂成分，所述芯片接合膜含有50重量％以上的丙烯酸系共聚物，

所述丙烯酸系共聚物为通过将以50重量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯、还含有其他单体的单体原料聚合而得到丙烯酸系共聚物，

所述其他单体为选自丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸、马来酸酐、衣康酸酐、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯、苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸、丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯的单体，

所述芯片接合膜含有选自脂环式环氧树脂及脂环式酸酐中的至少1种作为热固性树脂。

2.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

所述T1与所述T2之比T2/T1在0.75～1.0的范围内。

3.一种带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有权利要求1所述的芯片接合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，

所述切割片在波长400nm下的透光率大于80％。

4.如权利要求3所述的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，

热固化前的所述带有切割片的芯片接合膜在波长400nm下的透光率大于50％。

5.如权利要求3所述的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，

所述切割片由基材和粘合剂层构成，

所述粘合剂层含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通过将以50重量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到。

6.如权利要求3所述的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，

所述芯片接合膜在120℃下的损失弹性模量为0.05MPa～0.5MPa。

7.一种半导体装置，其特征在于，

使用权利要求1或2所述的芯片接合膜、或权利要求3～6中任一项所述的带有切割片的芯片接合膜而制造。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备工序，准备权利要求3～6中任一项所述的带有切割片的芯片接合膜；

贴合工序，将所述带有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜与半导体晶片的背面贴合；

切割工序，将所述半导体晶片与所述芯片接合膜一起切割，形成芯片状的半导体芯片；

拾取工序，将所述半导体芯片与所述芯片接合膜一起从所述带有切割片的芯片接合膜拾取；和

芯片接合工序，通过所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半导体芯片。