[发明专利]TFT基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510138273.7 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104765214B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 梁魁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张所明 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种TFT基板及其制造方法、显示装置，属于液晶显示技术领域。TFT基板包括：衬底基板；衬底基板上形成有公共电极金属；形成有公共电极金属的基板上形成有栅绝缘层；形成有栅绝缘层的基板上形成有钝化层；其中，公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区，公共电极金属区上形成有阻流凹槽。本发明通过在公共电极金属区上设置阻流凹槽来阻挡PI溶液，解决了AA区的PI溶液减少且溶液分布不均匀，形成的配向膜厚度均匀性较差，LCD在显示时容易产生云纹不良的问题，达到了减小PI溶液的流失速度，使AA区的PI溶液能够均匀分布，形成均匀性较好的配向膜，避免云纹不良，提高LCD的显示性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | tft 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：衬底基板；所述衬底基板上形成有公共电极金属；形成有所述公共电极金属的基板上形成有栅绝缘层；形成有所述栅绝缘层的基板上形成有钝化层；其中，所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区，所述公共电极金属上形成有多个凹槽，以使得所述公共电极金属区上形成多个阻流凹槽，每个所述阻流凹槽的深度小于所述公共电极金属的厚度，每个所述阻流凹槽的开口为V字形，多个开口为V字形的所述阻流凹槽连通形成锯齿形的凹槽。
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