[发明专利]TFT基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510138273.7 申请日: 2015-03-26
公开(公告)号: CN104765214B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 梁魁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/02;H01L29/786
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 张所明
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: tft 及其 制造 方法 显示装置
【说明书】:

发明公开一种TFT基板及其制造方法、显示装置,属于液晶显示技术领域。TFT基板包括:衬底基板;衬底基板上形成有公共电极金属;形成有公共电极金属的基板上形成有栅绝缘层;形成有栅绝缘层的基板上形成有钝化层;其中,公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区,公共电极金属区上形成有阻流凹槽。本发明通过在公共电极金属区上设置阻流凹槽来阻挡PI溶液,解决了AA区的PI溶液减少且溶液分布不均匀,形成的配向膜厚度均匀性较差,LCD在显示时容易产生云纹不良的问题,达到了减小PI溶液的流失速度,使AA区的PI溶液能够均匀分布,形成均匀性较好的配向膜,避免云纹不良,提高LCD的显示性能的效果。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种TFT基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

液晶显示器(英文:Liquid Crystal Display,简称:LCD)通过控制液晶分子的旋转方向和旋转角度来控制穿透液晶层的光亮,从而显示各种灰度的图像,其具有高画面质量、体积小、重量轻等优点,广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。通常情况下,LCD内的薄膜场效应晶体管(英文:Thin Film Transistor,简称:TFT)基板上形成有配向膜,液晶分子排布在配向膜上。

TFT基板01通常包括:衬底基板,衬底基板上形成有公共电极(英文:Com)金属,形成有Com金属的基板上形成有栅绝缘(英文:Gate Insulator,简称:GI)层,形成有栅绝缘层的基板上形成有钝化层,如图1所示,其示出的是现有技术提供的一种TFT基板01的俯视图,参见图1,钝化层010上设置有有效显示区域(英文:AtiveArea,简称:AA)011和多个(图1中以2个为例)数据引线(英文:Pad)区012,每两个Pad区012之间为Com金属区013,Com金属区013是Com金属在钝化层010上的对应区域,其中,Com金属区013的高度(Com金属区到衬底基板上表面的距离)通常小于或等于AA区011的高度(AA区到衬底基板上表面的距离),且Com金属区013通常为平坦的三角状。将聚酰亚胺(英文:Polyimide,简称:PI)溶液涂覆在AA区011,对涂覆好的PI溶液进行加热,使PI溶液中的有机溶剂挥发,可以在AA区011形成具有一定厚度的配向膜。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

Com金属区的高度小于或等于AA区的高度,且Com金属区较为平坦,涂敷在AA区的PI溶液容易从AA区通过每两个Pad区之间的缝隙(如图1中m处)流向Com金属区,并沿Com金属区扩散,导致涂覆在AA区的PI溶液减少且溶液分布不均匀,形成的配向膜厚度均匀性较差,LCD在显示时容易产生云纹不良。

发明内容

为了解决现有技术中配向膜厚度均匀性较差,LCD在显示时容易产生云纹不良的问题,本发明实施例提供一种TFT基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:

第一方面,提供一种TFT基板,所述TFT基板包括:

衬底基板;

所述衬底基板上形成有公共电极金属;

形成有所述公共电极金属的基板上形成有栅绝缘层;

形成有所述栅绝缘层的基板上形成有钝化层;

其中,所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区,所述公共电极金属区上形成有阻流凹槽。

可选地,所述公共电极金属上形成有凹槽,以使得所述公共电极金属区上形成所述阻流凹槽。

可选地,所述阻流凹槽的开口的形状包括:长条形、U字形和V字形中的至少一种。

可选地,所述阻流凹槽的个数为n,所述n为大于或等于1的正整数。

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