[发明专利]TFT基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510138273.7 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104765214B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 梁魁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张所明 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有公共电极金属；
形成有所述公共电极金属的基板上形成有栅绝缘层；
形成有所述栅绝缘层的基板上形成有钝化层；
其中，所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区，所述公共电极金属上形成有多个凹槽，以使得所述公共电极金属区上形成多个阻流凹槽，每个所述阻流凹槽的深度小于所述公共电极金属的厚度，每个所述阻流凹槽的开口为V字形，多个开口为V字形的所述阻流凹槽连通形成锯齿形的凹槽。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板为ADS面板或IPS面板中的TFT基板，
所述衬底基板上形成有ITO层；
形成有所述ITO层的基板上形成有所述公共电极金属。
3.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述TFT基板包括衬底基板，所述方法包括：
在所述衬底基板上形成公共电极金属；
在形成有所述公共电极金属的基板上形成栅绝缘层；
在形成有所述栅绝缘层的基板上形成钝化层；
其中，所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区，所述公共电极金属上形成有多个凹槽，以使得所述公共电极金属区上形成多个阻流凹槽，每个所述阻流凹槽的深度小于所述公共电极金属的厚度，每个所述阻流凹槽的开口为V字形，多个开口为V字形的所述阻流凹槽连通形成锯齿形的凹槽。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述公共电极金属的基板上形成栅绝缘层，包括：
在形成有所述公共电极金属的基板上形成栅绝缘层，且对所述栅绝缘层上，所述公共电极金属的凹槽对应区域进行过刻。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述TFT基板为ADS面板或IPS面板中的TFT基板，所述在所述衬底基板上形成公共电极金属之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成ITO层；
所述在所述衬底基板上形成公共电极金属，包括：
在形成有所述ITO层的基板上形成具有凹槽的公共电极金属，以使得所述公共电极金属区上形成所述阻流凹槽。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求1或2所述的TFT基板。
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