[发明专利]一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法有效
| 申请号： | 201510131080.9 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104830324A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 赵家龙;马瑞新;袁曦;李海波 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 李外 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，属于化工技术领域。该方法将醋酸盐、硫粉和油相溶剂混合，得到混合溶液；将得到的混合溶液以10～30℃/min的速度加热到200～260℃，并保持此温度10～120min，形成混合液晶核；然后将锌前驱体溶液加入到得到的混合液晶核中，并以10～30℃/min的速度加热到220～280℃，保持此温度10～120min，形成硫化锌外壳混合液；再将溶剂加入到得到的硫化锌外壳混合液中，得到双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点。该制备方法简单，实验结果表明：制作成白光LED的显色指数能达到95，流明效率为70lm/W。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 过渡 金属 离子 掺杂 半导体 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤一：将醋酸盐、硫粉和油相溶剂混合，得到混合溶液；步骤二：在惰性氛围下，将步骤一得到的混合溶液以10～30℃/min的速度加热到200～260℃，并保持此温度10～120min，形成混合液晶核；步骤三：将反应温度降至100‑150℃，然后将锌前驱体溶液加入到步骤二得到的混合液晶核中，并以10～30℃/min的速度加热到220～280℃，保持此温度10～120min，形成硫化锌外壳混合液；步骤四：将反应温度降至60‑100℃，然后将溶剂加入到步骤三得到的硫化锌外壳混合液中，得到双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点。
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