[发明专利]一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法

权利要求书

1.一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，该方法包括：

步骤一：将醋酸盐、硫粉和油相溶剂混合，得到混合溶液；

步骤二：在惰性氛围下，将步骤一得到的混合溶液以10～30℃/min的速度加热到200～260℃，并保持此温度10～120min，形成混合液晶核；

步骤三：将反应温度降至100-150℃，然后将锌前驱体溶液加入到步骤二得到的混合液晶核中，并以10～30℃/min的速度加热到220～280℃，保持此温度10～120min，形成硫化锌外壳混合液；

步骤四：将反应温度降至60-100℃，然后将溶剂加入到步骤三得到的硫化锌外壳混合液中，得到双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点。

2.根据权利要求1所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的步骤一的醋酸盐选自醋酸铜、醋酸铟、醋酸锰或醋酸锌中的两种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的醋酸盐为醋酸锰、醋酸铜、醋酸锌和醋酸铟的混合物。

4.根据权利要求3所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的醋酸锰、醋酸铜、醋酸锌和醋酸铟的摩尔比为4：10：100：100。

5.根据权利要求1所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的步骤一油相溶剂为正十二硫醇、十八烯胺、十八烯、油胺或油酸中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的步骤一醋酸盐和硫粉的摩尔比为(0.424～0.44)：(0.8～1.6)。

7.根据权利要求1所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的步骤三的锌前驱体溶液为醋酸锌溶液或硬脂酸锌溶液。

8.根据权利要求1所述的一种双光发射过渡金属离子掺杂半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述的步骤四的溶剂为甲苯、正己烷或氯仿。