[发明专利]一种混合气态碳源制备单壁碳纳米管纤维的方法有效

专利信息
申请号: 201510125959.2 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN104760946A 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 侯鹏翔;李国显;刘畅;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及高质量单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域,具体为一种混合气态碳源浮动催化剂CVD法宏量制备高质量、高纯度单壁碳纳米管纤维的方法。以二茂铁等易挥发金属有机化合物为催化剂前驱体、硫粉及含硫有机物为生长促进剂、甲烷和第二种低碳烃为碳源,以氩气/氢气的混合气体为载气,在1000~1200℃下实现单壁碳纳米管纤维的生长。所获得单壁碳纳米管纤维中杂质含量小于15%,单壁碳纳米管的集中氧化温度大于800℃、G/D比大于100。本发明在浮动催化剂CVD生长单壁碳纳米管过程中,以甲烷和低碳烃气体为碳源,在较低流量的氩气和氢气保护气氛下,实现了高质量、高纯度单壁碳纳米管纤维的宏量、连续控制生长。
搜索关键词: 一种 混合 气态 碳源 制备 单壁碳 纳米 纤维 方法
【主权项】:
一种混合气态碳源制备单壁碳纳米管纤维的方法,其特征在于,具体步骤如下:以氩气为载气,二茂铁、二茂镍或二茂钴为催化剂前驱体,硫粉或含硫有机物为生长促进剂;将化学气相沉积炉的温度升至1000~1200℃,将氩气流量调高至100~400毫升/分钟,同时通入氢气和碳源;其中,氢气的流量为100~400毫升/分钟;碳源为饱和气态烃与不饱和气态烃的混合碳源,饱和气态烃气体的流量为1~20毫升/分钟,不饱和气态烃气体的流量为0.2~5毫升/分钟;将二茂铁和硫粉同时推到反应炉的60~150℃温度区处,进行化学气相沉积生长碳纳米管纤维,生长时间为5~60分钟。
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