[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510116981.0 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104658981B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;高英强;郭总杰;刘正;张治超;张小祥;刘明悬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决在ITO上制作保护ITO的钝化层所引起的构图次数增多的问题。其中阵列基板的制作方法包括：在制作完薄膜晶体管的基板上形成多个第一过孔和多个第二过孔；在形成第一过孔和第二过孔后的基板上覆盖透明导电层；在透明导电层上覆盖保护材料层，保护材料层的成膜温度低于透明导电层的退火温度；利用一次构图工艺形成覆盖第一过孔及其周围的第一电极，覆盖第二过孔及其周围的第二电极，及覆盖第一电极的第一保护层。本发明所提供的阵列基板及其制作方法、显示装置用于显示图像。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在制作完薄膜晶体管的基板上形成多个第一过孔和多个第二过孔；在形成所述第一过孔和所述第二过孔后的基板上覆盖透明导电层；在所述透明导电层上覆盖保护材料层，所述保护材料层的成膜温度低于所述透明导电层的退火温度；利用一次构图工艺形成覆盖所述第一过孔及其周围的第一电极，覆盖所述第二过孔及其周围的第二电极，及覆盖所述第一电极的第一保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
