[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在制作完薄膜晶体管的基板上形成多个第一过孔和多个第二过孔；

在形成所述第一过孔和所述第二过孔后的基板上覆盖透明导电层；

在所述透明导电层上覆盖保护材料层，所述保护材料层的成膜温度低于所述透明导电层的退火温度；

利用一次构图工艺形成覆盖所述第一过孔及其周围的第一电极，覆盖所述第二过孔及其周围的第二电极，及覆盖所述第一电极的第一保护层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述透明导电层上覆盖所述保护材料层的步骤具体包括：采用薄膜涂覆工艺在所述透明导电层上涂覆保护层材料，形成保护材料层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层材料为有机透明介电材料。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用一次构图工艺形成所述第一电极、所述第二电极和所述第一保护层的步骤包括：

采用半灰阶掩膜板，对所述保护材料层进行曝光和显影，形成覆盖所述第一过孔及其周围的第一保护层和覆盖所述第二过孔及其周围的第二保护层，所述第一保护层的厚度大于所述第二保护层的厚度；

以所述第一保护层和所述第二保护层为掩膜，对所述透明导电层进行刻蚀，形成覆盖所述第一过孔及其周围的第一电极和覆盖所述第二过孔及其周围的第二电极；

采用灰化工艺去除所述第二保护层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护材料层为正性保护材料层，所述半灰阶掩膜板包括完全透光区域、部分透光区域和遮光区域，所述完全透光区域对应除第一过孔及其周围和第二过孔及其周围外的区域内的保护材料层，所述部分透光区域对应第二过孔及其周围区域内的保护材料层，所述遮光区域对应第一过孔及其周围区域内的保护材料层；或者，

所述保护材料层为负性保护材料层，所述半灰阶掩膜板包括完全透光区域、部分透光区域和遮光区域，所述完全透光区域对应第一过孔及其周围区域内的保护材料层，所述部分透光区域对应第二过孔及其周围区域内的保护材料层，所述遮光区域对应除第一过孔及其周围和第二过孔及其周围外的区域内的保护材料层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一过孔和所述第二过孔后的基板上覆盖所述透明导电层的步骤具体为：采用薄膜沉积工艺在形成所述第一过孔和所述第二过孔后的基板上沉积透明导电材料，形成透明导电层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的形成材料为ITO。

8.根据权利要求1～7任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在制作完薄膜晶体管的基板上形成多个所述第一过孔和多个所述第二过孔的步骤之前包括：在基板上制作多个薄膜晶体管，在制作所述薄膜晶体管的过程中形成栅极线和数据线，所述多个薄膜晶体管包括位于显示区域的薄膜晶体管阵列和位于边框区域的用于构成GOA单元的薄膜晶体管；

所述第一电极用于通过所述第一过孔电连接所述GOA单元中的各薄膜晶体管、所述GOA单元与所述栅极线和各所述GOA单元，所述第二电极用于通过所述第二过孔电连接所述GOA单元与外部驱动电路和所述数据线与外部驱动电路。

9.一种阵列基板，包括：基板及位于所述基板上的薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设置于所述基板上的多个第一过孔和多个第二过孔；

覆盖所述第一过孔及其周围的，由透明导电层形成的第一电极；

覆盖所述第一电极的第一保护层；

覆盖所述第二过孔及其周围的，由透明导电层形成的第二电极；

其中，所述第一保护层的成膜温度低于所述第一电极和所述第二电极的退火温度，所述第一保护层、所述第一电极和所述第二电极形成于同一次构图工艺下。