[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决在ITO上制作保护ITO的钝化层所引起的构图次数增多的问题。其中阵列基板的制作方法包括：在制作完薄膜晶体管的基板上形成多个第一过孔和多个第二过孔；在形成第一过孔和第二过孔后的基板上覆盖透明导电层；在透明导电层上覆盖保护材料层，保护材料层的成膜温度低于透明导电层的退火温度；利用一次构图工艺形成覆盖第一过孔及其周围的第一电极，覆盖第二过孔及其周围的第二电极，及覆盖第一电极的第一保护层。本发明所提供的阵列基板及其制作方法、显示装置用于显示图像。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术中，GOA单元集成在显示装置的阵列基板上，其包括多个薄膜晶体管，各GOA单元分别与阵列基板上的各条栅线相连，从而实现对栅线的扫描驱动。

GOA阵列基板的制作过程大致为：首先在衬底基板上制作薄膜晶体管，该些薄膜晶体管包括位于显示区域的薄膜晶体管阵列和位于边框区域的用于构成GOA单元的薄膜晶体管，然后在边框区域制作第一过孔和第二过孔，之后沉积ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)并形成需要的图形：在显示区域的ITO形成为像素电极，在边框区域的ITO通过第一过孔电连接GOA单元中的各薄膜晶体管，通过第二过孔实现外部驱动电路与阵列基板上的各元件(数据线、GOA单元等)的绑定。

在显示装置的长期使用过程中，GOA单元中的第一过孔上方及周围的ITO长时间处于低电位的工作状态，并且位于靠近封框胶的位置，经常处于高温、高湿、污染、应力等环境下，造成该位置处的ITO容易发生电化学腐蚀，ITO劣化甚至烧毁，最终引起屏幕显示异常。

现有技术中通常采用在ITO上方采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺沉积一层钝化层的方式来对GOA单元第一过孔上方及周围的ITO进行保护。为了保证外部驱动电路正常向阵列基板供电，需要将所沉积的钝化层中位于第二过孔上方及周围的钝化层去除。由于钝化层的沉积温度大约在300℃～350℃，ITO的退火温度大约在250℃～270℃，如果在沉积钝化层之后再对ITO进行刻蚀，将会导致ITO结晶，无法进行刻蚀，因此需要在沉积ITO后，进行ITO的刻蚀，然后沉积钝化层，进行钝化层的刻蚀，这就导致额外增加了一道构图工艺，引起阵列基板制作工序的复杂程度增大。

发明内容

为克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以在简化制作阵列基板的工艺步骤的前提下，防止ITO发生电化学腐蚀。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明的第一方面提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在制作完薄膜晶体管的基板上形成多个第一过孔和多个第二过孔；在形成所述第一过孔和所述第二过孔后的基板上覆盖透明导电层；在所述透明导电层上覆盖保护材料层，所述保护材料层的成膜温度低于所述透明导电层的退火温度；利用一次构图工艺形成覆盖所述第一过孔及其周围的第一电极，覆盖所述第二过孔及其周围的第二电极，及覆盖所述第一电极的第一保护层。

可选的，在所述透明导电层上覆盖所述保护材料层的步骤具体包括：采用薄膜涂覆工艺在所述透明导电层上涂覆保护层材料，形成保护材料层。

可选的，所述保护层材料为有机透明介电材料。