[发明专利]用于集成电路图案化的方法有效
| 申请号： | 201510111358.6 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916530B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 卢彦丞;张书豪;游信胜;吴瑞庆;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e‑束)的辐射敏感。该方法进一步包括在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路(IC)的图案的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一材料层，其中，所述第一材料层具有第一蚀刻速率；在所述第一材料层上方形成光刻胶层；将所述光刻胶层暴露于辐射以图案化所述光刻胶层，其中，所述辐射到达所述第一材料层，并且将所述第一材料层改变为具有与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率，所述第一材料层配置为使得所述第二蚀刻速率小于所述第一蚀刻速率；显影所述光刻胶层，从而形成图案化的光刻胶层；以及将所述图案化的光刻胶层用作蚀刻掩模，蚀刻所述第一材料层，从而形成图案化的第一材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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