[发明专利]半导体发光元件在审

专利信息
申请号: 201510107845.5 申请日: 2015-03-12
公开(公告)号: CN104934511A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 伊藤俊秀;大野浩志;布上真也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张海涛;于辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体发光元件。根据一个实施方案,半导体发光元件包括第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一绝缘部和第一导电层。第一电极包括第一区域和第二区域。第一半导体层与第一区域隔开,并包括第一部分和第二部分。第二部分和第一区域之间设置发光层。第二半导体层设置在发光层和第一区域之间。第二电极设置在第一区域和第二半导体层之间,以接触第二半导体层。第一绝缘部设置在第一区域和第二电极之间。第一导电层设置在第一部分和第一区域之间,并包括与第一部分相接触的接触部。
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【主权项】:
半导体发光元件,其包括:第一电极,其包括第一区域和第二区域,第二区域和第一区域被一起设置在第一方向上;第一导电类型的第一半导体层,其与第一区域在与第一方向交叉的第二方向上隔开,第一半导体层包括第一部分和第二部分,第二部分和第一部分在与所述第二方向交叉的方向上被一起设置;发光层,其设置在所述第二部分和所述第一区域之间;第二导电类型的第二半导体层,其设置在所述发光层和所述第一区域之间;第二电极,其设置在所述第一区域和所述第二半导体层之间,以接触所述第二半导体层;第一绝缘部,其设置在所述第一区域和所述第二电极之间;以及第一导电层,其设置在所述第一部分和所述第一区域之间,所述第一导电层包括与第一部分相接触的接触部,所述第一导电层电连接到所述第一区域,第一部分和接触部之间的第一界面,其相对于所述第二半导体层和所述第二电极之间的第二界面倾斜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510107845.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top