[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号: | 201510107845.5 | 申请日: | 2015-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN104934511A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
| 发明(设计)人: | 伊藤俊秀;大野浩志;布上真也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张海涛;于辉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施方案,半导体发光元件包括第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一绝缘部和第一导电层。第一电极包括第一区域和第二区域。第一半导体层与第一区域隔开,并包括第一部分和第二部分。第二部分和第一区域之间设置发光层。第二半导体层设置在发光层和第一区域之间。第二电极设置在第一区域和第二半导体层之间,以接触第二半导体层。第一绝缘部设置在第一区域和第二电极之间。第一导电层设置在第一部分和第一区域之间,并包括与第一部分相接触的接触部。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
半导体发光元件,其包括:第一电极,其包括第一区域和第二区域,第二区域和第一区域被一起设置在第一方向上;第一导电类型的第一半导体层,其与第一区域在与第一方向交叉的第二方向上隔开,第一半导体层包括第一部分和第二部分,第二部分和第一部分在与所述第二方向交叉的方向上被一起设置;发光层,其设置在所述第二部分和所述第一区域之间;第二导电类型的第二半导体层,其设置在所述发光层和所述第一区域之间;第二电极,其设置在所述第一区域和所述第二半导体层之间,以接触所述第二半导体层;第一绝缘部,其设置在所述第一区域和所述第二电极之间;以及第一导电层,其设置在所述第一部分和所述第一区域之间,所述第一导电层包括与第一部分相接触的接触部,所述第一导电层电连接到所述第一区域,第一部分和接触部之间的第一界面,其相对于所述第二半导体层和所述第二电极之间的第二界面倾斜。
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