[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.半导体发光元件，其包括：

第一电极，其包括第一区域和第二区域，第二区域和第一区域被一起设置在第一方向上；

第一导电类型的第一半导体层，其与第一区域在与第一方向交叉的第二方向上隔开，第一半导体层包括第一部分和第二部分，第二部分和第一部分在与所述第二方向交叉的方向上被一起设置；

发光层，其设置在所述第二部分和所述第一区域之间；

第二导电类型的第二半导体层，其设置在所述发光层和所述第一区域之间；

第二电极，其设置在所述第一区域和所述第二半导体层之间，以接触所述第二半导体层；

第一绝缘部，其设置在所述第一区域和所述第二电极之间；以及

第一导电层，其设置在所述第一部分和所述第一区域之间，所述第一导电层包括与第一部分相接触的接触部，所述第一导电层电连接到所述第一区域，

第一部分和接触部之间的第一界面，其相对于所述第二半导体层和所述第二电极之间的第二界面倾斜。

2.如权利要求1所述的元件，其中包括所述第一界面的平面和包括所述第二界面的平面之间的角度不小于1度且不大于75度。

3.如权利要求1所述的元件，其中

所述第一半导体层包括氮化物半导体，并且

所述第二半导体层包括氮化物半导体。

4.如权利要求1所述的元件，其中包括所述第一界面的平面和包括所述第二界面的平面之间的角度不小于25度且不大于75度。

5.如权利要求3所述的元件，其中所述第二界面和所述第一半导体层的c平面之间的角度的绝对值为5度或更小。

6.如权利要求3所述的元件，其中第一界面和第一半导体层的c平面之间的角度的绝对值不小于50度且不大于70度。

7.如权利要求3所述的元件，其中所述第一界面和所述第一半导体层的c平面之间的角度的绝对值不小于52.5度且不大于56.5度。

8.如权利要求3所述的元件，其中所述第一界面和所述第一半导体层的c平面之间的角度的绝对值不小于60度且不大于64度。

9.如权利要求1所述的元件，其中所述接触部包括铝。

10.如权利要求1所述的元件，其中所述第一导电层还包括设置在所述接触部和所述第一区域之间的导电膜。

11.如权利要求1所述的元件，其中所述第二电极包括银。

12.如权利要求1所述的元件，其还包括

第三电极，当投影到与第二方向相交的平面上时，其与第二区域相重叠；

第二导电层，其将所述第二电极电连接到所述第三电极；以及

第二绝缘部，其设置在所述第二导电层和所述第二区域之间。

13.如权利要求1所述的元件，其中所述第一绝缘部覆盖所述第二电极的侧表面。

14.如权利要求1所述的元件，其中所述第一绝缘部在所述第一电极和所述第二半导体层的侧表面之间以及在所述第一电极和所述发光层的侧表面之间延伸。

15.如权利要求1所述的元件，其中所述第一绝缘部在所述第一区域和所述第一部分的一部分之间延伸。

16.如权利要求1所述的元件，其中，包括所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述发光层的层叠单元的侧表面相对于所述第二界面倾斜。

17.如权利要求1所述的元件，其还包括基座单元，所述第一电极设置在所述基座单元和所述第一绝缘部之间。

18.如权利要求17所述的元件，其中所述基座单元是金属或者半导体。

19.如权利要求1所述的元件，其中所述第一界面在所述第二方向上的长度不小于0.1μm且不大于10μm。