[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号: | 201510107845.5 | 申请日: | 2015-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN104934511A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
| 发明(设计)人: | 伊藤俊秀;大野浩志;布上真也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张海涛;于辉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于在2014年3月17日提交的日本专利申请No.2014-054157,并要求其优先权,所述专利申请的全文内容援引并入本申请中。
技术领域
本申请所描述的实施方案主要涉及半导体发光元件。
技术背景
提高发光二极管(LED)等半导体发光元件的效率是所期望的。
附图说明
图1是示出根据实施方案的半导体发光元件的示意性横截面视图;
图2是根据本实施方案的半导体发光元件的示意性平面图;
图3是根据本实施方案的半导体发光元件的一部分的示意性横截面视图;
图4A到图4C是依照加工顺序示出根据本实施方案的半导体发光元件的制造方法的示意性横截面视图;
图5A和图5B是依照加工顺序示出根据本实施方案的半导体发光元件的制造方法的示意性横截面视图;
图6是根据本实施方案的另一种半导体发光元件的示意性横截面视图;
图7是根据本实施方案的半导体发光元件的特性的图;
图8是根据本实施方案的半导体发光元件的特性的图;
图9是根据本实施方案的半导体装置的一部分的示意性横截面视图;并且
图10是示出采用根据本实施方案的半导体发光元件的发光装置的示意性横截面视图。
发明内容
根据一个实施方案,半导体发光元件包括第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二电极、第一绝缘部和第一导电层。第一电极包括第一区域和第二区域,第二区域和第一区域被一起设置(并排设置,arranged with)在第一方向上。第一导电类型的第一半导体层与第一区域在与第一方向交叉的第二方向上隔开。第一半导体层包括第一部分和第二部分,第二部分和第一部分在与第二方向交叉的方向上被一起设置(并排设置,arranged with)。第二部分和第一区域之间设置发光层。第二导电类型的第二半导体层设置在发光层和第一区域之间。第二电极设置在第一区域和第二半导体层之间,以接触第二半导体层。第一绝缘部设置在第一区域和第二电极之间。第一部分和第一区域之间设置第一导电层。第一导电层包括与第一部分相接触的接触部。第一导电层电连接到第一区域。第一部分和接触部之间的第一界面相对于第二半导体层和第二电极之间的第二界面倾斜。
下文将参照附图对各种实施方案进行说明。
附图是示意性或概念性的;并且各部分的厚度和宽度之间的关系、各部分之间的尺寸比例等并不一定与其实际值相同。此外,规格和/或比例在附图中的说明可以不同,即使在相同的部分被示出的情况下也如此。
在本申请的附图和说明书中,类似于参照上述附图描述的部件标有类似的附图标号,其详细描述酌情被省略。
图1是示出根据实施方案的半导体发光元件的示意性横截面视图。
图2是根据本实施方案的半导体发光元件的示意性平面图。
图1示出图2的A1-A2线的横截面。
如图1和图2所示,根据本实施方案的半导体发光元件110包括第一电极51、第一半导体层10、发光层30、第二半导体层20、第二电极62、第一绝缘部41以及第一导电层55。
第一半导体层10在Z轴方向上与第一电极51分开。垂直于Z轴方向的方向被定为X轴方向。垂直于Z轴方向及X轴方向的方向被定为Y轴方向。
第一电极51在X-Y平面内延伸。第一电极51包括第一区域R1和第二区域R2。第二区域R2和第一区域R1被一起设置在X-Y平面内。例如,第二区域R2在第一方向上和第一区域R1被一起设置(并排设置,arranged with)。第一方向是在X-Y平面内的一个方向。
第一半导体层10在第二方向上与第一区域R1分隔开。第二方向与第一方向交叉。例如,第二方向是Z轴方向。
第一半导体层10包括第一部分11和第二部分12。第二部分12在与第二方向(Z轴方向)交叉的方向上和第一部分11被一起设置(并排设置,arranged with)。第一半导体层10具有第一导电类型。
发光层30设置在第二部分12和第一区域R1之间。
第二半导体层20设在发光层30和第一区域R1之间。第二半导体层20具有第二导电类型。
例如,第一导电类型是n型,第二导电类型是p型。在本实施方案中,第一导电类型可以是p型,第二导电类型可以是n型。下文中,第一导电类型被取为n型,第二导电类型被取为p型。
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