[发明专利]一种制备高导石墨薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201510092304.X | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN104610931B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杨云胜;杨星;郭颢;蒋伟良 | 申请（专利权）人： | 镇江博昊科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212132 江苏省镇江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备高导石墨薄膜材料的方法，以质量百分比计，其特征在于由以下成分组成（i）主体成分是石墨薄膜占97‑99.9999%；（ii）钌元素占0.0001%‑3%。将含有苯环或含氮的杂环或含氧的杂环或含硫的杂环的高分子薄膜在含有钌元素成分的环境中经高温处理获得。本发明，其热导率在500‑2400W/mk；电导率大于105S/m。在半导体照明、平板显示器、笔记本电脑以及智能手机等电子设备（散热）和加热元器件（导热）领域有着广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高导石墨薄膜材料的方法，以质量百分比计，包括如下步骤：其特征在于：1）、将含有苯环或含氮的杂环或含氧的杂环或含硫的杂环的高分子薄膜经500‑1800℃高温在含有钌元素成分的环境中进行真空热处理后，用石墨电极以0.2‑10℃/分钟加热至1500‑1600℃，恒温2‑96小时，使钌成分通过热扩散的形式缓慢进入薄膜基体之中，自然冷却；2）、将步骤1）的薄膜在惰性气体气氛炉中经1900‑3300℃高温热处理：时间为30分钟至48小时；自然冷却后得到厚度为1‑1000微米、石墨薄膜占97‑99.9999%；钌元素占0.0001%‑3%的高导石墨薄膜材料。
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