[发明专利]一种制备高导石墨薄膜材料的方法

权利要求书

1.一种制备高导石墨薄膜材料的方法，以质量百分比计，包括如下步骤：其特征在于：

1）、将含有苯环或含氮的杂环或含氧的杂环或含硫的杂环的高分子薄膜经500-1800℃高温在含有钌元素成分的环境中进行真空热处理后，用石墨电极以0.2-10℃/分钟加热至1500-1600℃，恒温2-96小时，使钌成分通过热扩散的形式缓慢进入薄膜基体之中，自然冷却；

2）、将步骤1）的薄膜在惰性气体气氛炉中经1900-3300℃高温热处理：时间为30分钟至48小时；自然冷却后得到厚度为1-1000微米、石墨薄膜占97-99.9999%；钌元素占0.0001%-3%的高导石墨薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种制备高导石墨薄膜材料的方法，其特征在于：所述的步骤1）中的高分子薄膜是聚醚砜酮薄膜、聚对苯撑噁二唑薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚对苯乙烯薄膜、聚苯胺薄膜、聚苯撑亚乙烯薄膜、聚萘撑薄膜、聚蒽薄膜、聚苯撑薄膜、聚芳噁二唑薄膜、聚苯乙炔薄膜、聚苯并咪唑薄膜、聚噻吩薄膜中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种制备高导石墨薄膜材料的方法，其特征在于：所述的步骤1）中含有钌元素成分的环境是：在高分子薄膜的上下两面涂敷含有钌成分的物质，该物质是钌金属细颗粒、钌碳或钌的化合物中的一种或几种；并在干燥箱内烘干后放入真空炉中。

4.根据权利要求1所述的一种制备高导石墨薄膜材料的方法，其特征在于：所述的步骤1）中含有钌元素成分的环境是：在高温炉体内放入含有钌的物质源，然后随炉体加热使其气化形成蒸气后放入真空炉中。

5.根据权利要求1所述的一种制备高导石墨薄膜材料的方法，其特征在于：所述的步骤1）中含有钌元素成分的环境是：在制备高分子薄膜的原单体溶液中加入含有钌成分的物质；之后溶液进行缩聚反应；样品膜通过平板刮膜法制膜，使溶剂直接蒸发，并经马弗炉内热处理后放入真空炉中。