[发明专利]一种导电薄膜制作方法及导电薄膜有效
| 申请号： | 201510090151.5 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105989929B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电薄膜的制作方法，用于形成厚度大于的含金导电膜，该制作方法包括下述步骤S1提供基底，在所述基底上形成粘合层；S2在所述粘合层上通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层；S3在所述金薄膜层上形成隔离层；重复所述步骤S2和步骤S3以交替形成金薄膜层和隔离层，进而得到期望厚度的导电薄膜，其中，在通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层时，通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力。本发明提出的导电薄膜的制作方法可形成符合厚度和应力要求的Cr/Au薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种导电薄膜的制作方法，用于形成厚度大于的含金导电膜，其特征在于，该制作方法包括下述步骤：S1：提供基底，在所述基底上形成粘合层；S2：在所述粘合层上通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层，所述金薄膜层厚度不大于S3：在所述金薄膜层上形成隔离层；重复所述步骤S2和步骤S3以交替形成金薄膜层和隔离层，进而得到期望厚度的导电薄膜，其中，在通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层时，通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力。
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