[发明专利]一种导电薄膜制作方法及导电薄膜有效
| 申请号： | 201510090151.5 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105989929B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 薄膜 制作方法 | ||
1.一种导电薄膜的制作方法，用于形成厚度大于的含金导电膜，其特征在于，该制作方法包括下述步骤：
S1：提供基底，在所述基底上形成粘合层；
S2：在所述粘合层上通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层，所述金薄膜层厚度不大于
S3：在所述金薄膜层上形成隔离层；
重复所述步骤S2和步骤S3以交替形成金薄膜层和隔离层，进而得到期望厚度的导电薄膜，
其中，在通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层时，通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离层为铬层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粘合层为铬层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粘合层厚度为
6.根据权利要求1-5之一所述的制作方法，其特征在于，所述工艺参数包括射频功率、气流流速、腔室压力和托盘转速中的一种或多种。
7.根据权利要求1-5之一所述的制作方法，其特征在于，所述导电薄膜表层为金薄膜。
8.一种导电薄膜，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上的粘合层，以及位于所述粘合层上交替布置的金薄膜层和隔离层，且最上层为金薄膜层，
其中，所述金薄膜层通过物理气相沉积形成，并且通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力，且所述金薄膜层厚度不大于
9.根据权利要求8所述的导电薄膜，其特征在于，所述隔离层为铬层，所述隔离层的厚度为
10.根据权利要求8所述的导电薄膜，其特征在于，所述粘合层为铬层，所 述粘合层厚度为
11.根据权利要求8-10之一所述的导电薄膜，其特征在于，所述工艺参数包括射频功率、气流流速、腔室压力和托盘转速中的一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510090151.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有超疏水表面的绝缘子
- 下一篇：多用途抗干扰型数据线缆
