[发明专利]一种导电薄膜制作方法及导电薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种导电薄膜制作方法及导电薄膜。

背景技术

纯金(Au)薄膜是典型的导电薄膜，由于其导电性和导热性与耐氧化性高相结合的独特性能被广泛使用，特别是用在半导体和微机电系统(MEMS)的行业。但其机械性能往往不理想，为此新的Cr/Au复合层薄膜应用而生，其常常用作导电材料。但是在很中应用中都对薄膜厚度以及应力要一定要求，比如采用微电子机械系统工艺的MEMS麦克风。

这种麦克风由于其小型化和轻薄化的特点，成为取代使用有机膜的驻极体电容麦克风(Electret Condenser Microphone，ECM)的最佳候选者之一。MEMS麦克风是通过微电子机械系统工艺在半导体上蚀刻压力感测膜片而制成的微型麦克风，普遍应用在手机、耳机、笔记本电脑、摄像机和汽车上。

然而，如果Cr/Au复合层薄膜的厚度和应力常常达不到要求，因而影响了MEMS麦克风的性能表现。

因此，有必要提出一种新的制作方法，以解决上述存在的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种导电薄膜的制作方法，用于形成厚度大于的含金导电膜，该制作方法包括下述步骤：S1：提供基底，在所述基底上形成粘合层；S2：在所述粘合层上通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层；S3：在所述金薄膜层上形成隔离层；重复所述步骤S2和步骤S3以交替形成金薄膜层和隔离层，进而得到期望厚度的导电薄膜，其中，在通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层时，通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力。

采用本发明提供的导电薄膜的制作方法，当所要求的金薄膜厚度较大时(厚度大于)，利用隔离材料将厚度较大的Au薄膜分割成多层形态，即Au/隔离层/Au/隔离层/Au的三明治结构，使得单层金薄膜的厚度不大于这样由于Au膜层厚度小于1000A时，可通过调整PVD沉积过程中的机台参数设置来调控单层金薄膜的应力，因此通过控制三明治结构的金薄膜层的应力，使单层金薄膜应力达到具体需求，进而使整个导电薄膜的应力达到要求，从而解决当Au膜层厚度较大时(厚度大于)，由于其延展性较好，导致应力无法得到有效调控的问题，获得符合要求的导电薄膜。

本发明另一方面提出一种导电薄膜，其包括：基底、位于所述基底上的粘合层，以及位于所述粘合层上交替形成的金薄膜层和隔离层，所述金薄膜层厚度不大于所述金薄膜层通过物理气相沉积形成，并且通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力。

本发明提出的利用隔离材料将厚度较大的Au薄膜分割成多层形态，即Au/隔离层/Au/隔离层/Au的三明治结构，使得单层金薄膜的厚度不大于这样由于Au膜层厚度小于1000A时，可通过调整PVD沉积过程中的机台参数设置来调控单层金薄膜的应力，因此通过控制三明治结构的金薄膜层的应力，使单层金薄膜应力达到具体需求，进而使整个导电薄膜的应力达到要求，从而解决当Au膜层厚度较大时(厚度大于)，由于其延展性较好，导致应力无法得到有效调控的问题，获得符合要求的导电薄膜。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出了根据本发明一实施方式的导电薄膜制作方法的工艺流程图；

图2A～图2C示出了根据本发明一实施方式的导电薄膜的制作方法依次实施各步骤所获得器件的剖面示意图；

图3示出了根据本发明一实施方式的导电薄膜的结构示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。