[发明专利]半导体装置和半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201510088819.2 申请日: 2015-02-26
公开(公告)号: CN104952481B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 森胁真一 申请(专利权)人: 株式会社索思未来
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C11/406
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 朱胜,江河清
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了半导体装置和半导体存储装置。该半导体装置包括能够在选择与未选择之间进行切换的电路块;以及布置在电路块与第一电源线之间的泄漏电流控制电路。泄漏电流控制电路包括布置在电路块与第一电源线之间的第一晶体管;以及布置在电路块与第一电源线之间的电阻器装置。
搜索关键词: 半导体 装置 存储
【主权项】:
一种半导体装置,包括:电路块,所述电路块能够在选择与未选择之间进行切换;以及泄漏电流控制电路,所述泄漏电流控制电路布置在所述电路块与第一电源线之间,其中所述泄漏电流控制电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管布置在所述电路块与所述第一电源线之间;电阻器装置,所述电阻器装置布置在所述电路块与所述第一电源线之间;以及第二晶体管,所述第二晶体管在所述电路块与所述第一电源线之间,所述第二晶体管串联连接至所述电阻器装置,并且其中,当所述电路块被选择并且进行操作时,所述第一晶体管导通以使所述第一电源线与所述电路块连接,以及当使所述电路块未被选择并且使其停止时,所述第一晶体管关断以使所述第一电源线与所述电路块阻断,所述第二晶体管在所述第一晶体管导通时关断,而在所述第一晶体管关断时导通。
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