[发明专利]半导体装置和半导体存储装置

说明书

技术领域

本文中讨论的实施例涉及半导体装置和半导体存储装置。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术的发展，半导体装置(晶体管)已经小型化并且高度集成化，而且安装在半导体芯片(LSI)上的晶体管的数量稳步增加。

晶体管的单独由于小型化而产生的泄漏电流的增加以及安装在半导体芯片上的晶体管的数量的增加使整个半导体芯片的泄漏电流(泄漏功率)趋于日益增加。

另一方面，期望半导体芯片具有较小的功耗，以应用于电池驱动的移动装置并且用于节能的实现。

例如，SRAM(静态随机存取存储器：半导体存储装置)在半导体芯片中占较大的比例，因此SRAM的泄漏减小对于降低整个半导体芯片的消耗功耗而言是重要的。

换言之，SRAM被用作例如算术处理单元(处理器)的缓冲存储器和用于执行高速处理的存储器。在这样的SRAM中，特别地，例如字线驱动器的泄漏电流非常大并且占SRAM宏的泄漏电流的大部分。

如上所述，例如SRAM中的字线驱动器的泄漏电流随着晶体管的小型化和高度集成化而增大，这与近来对较小功耗的需求相矛盾。

在SRAM的字线驱动器中，例如，驱动字线的末级反相器的电源线由于较大的寄生电容而耗费较长的时间用于充放电。因此，例如动态地控制字线驱动器的电源线的电压以降低消耗的功率，然而却导致操作速度的降低。

本实施例不受限制地应用于SRAM，并且还适用于各种半导体存储装置，包括例如DRAM(动态随机存取存储器)。此外，本实施例广泛地适用于包括例如选择/未选择可切换电路块的各种半导体装置。

在这一点上，已提出了用于降低泄漏电流的各种半导体存储装置。

专利文献1：日本公开特许公报第2008-521157号

专利文献2：日本公开特许公报第2001-176270号

专利文献3：日本公开特许公报第H08-234877号

因此，实施例的一个方面的目的是提供一种半导体装置和一种半导体存储装置，所述半导体装置和半导体存储装置使得能够平衡从未选择状态到选择状态的返回时间的速度的增加和未选择的电路块的泄漏电流的降低。

发明内容

根据实施例的一个方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：能够在选择与未选择之间进行切换的电路块；以及布置在电路块与第一电源线之间的泄漏电流控制电路。

泄漏电流控制电路包括：布置在电路块与第一电源线之间的第一晶体管；以及布置在电路块与第一电源线之间的电阻器装置。

附图说明

图1是示出半导体存储装置的一个示例的框图；

图2是示出图1所示的半导体存储装置中的字线驱动器的一个示例的电路图；

图3是用于描述图2所示的字线驱动器的操作的时序图；

图4是示出图1所示的半导体存储装置中的字线驱动器的另一示例的电路图；

图5是用于描述图4所示的字线驱动器的操作的时序图；

图6是示出图1所示的半导体存储装置中的字线驱动器的又一示例的电路图；

图7是用于描述图6所示的字线驱动器的操作的时序图；

图8是用于描述图6所示的字线驱动器的操作的图；

图9是示出半导体存储装置的第一实施例中的字线驱动器的一个示例的电路图；

图10是用于描述图9所示的字线驱动器的操作的时序图；

图11是用于描述图9所示的字线驱动器中的泄漏电流控制电路的图；

图12是用于描述图11所示的泄漏电流控制电路的修改例的图；

图13A和图13B是用于描述图9所示的字线驱动器的操作的图；

图14是用于通过与图6所示的字线驱动器的比较来描述图9所示的字线驱动器的表；

图15是示出半导体存储装置的第二实施例中的字线驱动器的一个示例的电路图；

图16是用于示出图15所示的字线驱动器的操作的时序图；

图17是示出了应用第一实施例的半导体存储装置中的字线驱动器的整体配置的框图；

图18是用于描述图17所示的字线驱动器的操作的时序图；

图19是示出了应用第二实施例的半导体存储装置中的字线驱动器的整体配置的框图；以及

图20是用于描述图19所示的字线驱动器的操作的时序图。

具体实施方式