[发明专利]具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510087951.1 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104867898B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | C·冯克布林斯基;U·法斯特纳;A·布罗克迈尔;P·佐恩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法。提供了一种具有各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底。半导体芯片布置在插口中，并且在插口中镀覆金属以在半导体芯片上形成与该半导体芯片接触的金属结构。对载体衬底进行切割以形成单独的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 镀覆 引线 框架 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供载体衬底，所述载体衬底具有第一侧、第二侧和多个插口，其中每个插口用于接收和承载半导体芯片，所述插口从所述载体衬底的所述第一侧延伸至所述第二侧；将半导体芯片放置在所述插口中，所述半导体芯片中的每一个具有第一侧和第二侧，其中所述插口使所述半导体芯片的所述第一侧的至少部分和所述第二侧的至少部分暴露出来；在所述插口中电镀金属，以在所述半导体芯片的所述第二侧上形成与所述半导体芯片的所述第二侧接触的金属结构；以及切割通过所述载体衬底，以形成单独的半导体器件。
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