[发明专利]具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

在本文中描述的各个实施例涉及具有镀覆的引线框架的半导体器件及制造半导体器件的方法。

背景技术

在半导体材料上形成金属层，以提供至半导体材料的良好欧姆接触，并且在集成在半导体材料中的半导体器件的操作期间对在半导体材料中生成的热进行散热。取决于半导体器件的操作，热脉冲可能会发生，需要有效地对热脉冲进行散热。

厚的金属化层的制造可能会带来问题，这是因为常用的沉积技术仅仅允许以低速率进行沉积，这就导致长的制造时间。由于金属与薄半导体材料的热膨胀系数不同的影响，厚金属化层也可能会导致机械应力。此外，需要将沉积的金属化层图案化，这包括附加的制造工艺。

鉴于上述情况，需要进行改进。

发明内容

根据实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：提供具有第一侧、第二侧和各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底，插口从载体衬底的第一侧延伸至载体衬底的第二侧；将各自具有第一侧和第二侧的半导体芯片放置在插口中，其中插口使半导体芯片的第一侧的和第二侧的至少部分暴露出来；将金属镀覆在插口中以在半导体芯片的第二侧形成与半导体芯片的第二侧接触的金属结构；以及切断载体衬底以形成单独的半导体器件。

根据实施例，一种用于制造半导体器件方法包括：提供具有第一侧、第二侧和各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底，插口从载体衬底的第一侧延伸至载体衬底的第二侧；将各自具有第一侧和第二侧的半导体芯片放置在插口中，其中插口使半导体芯片的第一侧的和第二侧的至少部分暴露出来；提供具有第一侧、第二侧和从第一侧延伸至第二侧的多个开口的覆盖衬底；将覆盖衬底的第二侧与载体衬底的第一侧接合(join)并且与半导体芯片的第一侧接合，其中覆盖衬底的开口使半导体芯片的第一侧的一部分暴露出来；以及将金属镀覆在插口和开口中，以至少在半导体芯片的第一侧形成与半导体芯片的第一侧接触的第一金属结构，以及在半导体芯片的第二侧形成与半导体芯片的第二侧接触的第二金属结构。

根据实施例，一种半导体器件包括由绝缘无机材料制成的绝缘载体结构。载体结构包括至少一个插口。具有第一侧、第二侧和横向边缘的半导体芯片设置在插口中，其中载体结构横向地围绕半导体芯片和横向边缘。金属结构布置在半导体芯片的第二侧与第二侧接触并且嵌入在载体结构中。

在阅读以下详细说明并且在查看对应附图之后，本领域的技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明

在附图中的部件并不一定按照比例绘制而成，而是将重点放在图示本发明的原理上。而且，在附图中，相同的附图标记指相应的部件。

图1A至图1E图示了根据实施例的在用于制造半导体器件的方法中的工艺步骤。

图2A至图2M图示了根据实施例的在用于制造半导体器件的方法中的工艺步骤。

图3图示了根据实施例的半导体器件。

图4A至图4B图示了根据实施例的在用于制造半导体器件的方法中的工艺步骤。

具体实施方式

在以下详细说明中对附图进行参考，这些附图构成本说明书的一部分，以及在附图中以图示的方式示出了可以实践本发明的各个具体实施例。在这点上，参考所描述的一个或多个附图的取向来使用定向术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”、“横向”、“垂直”等。因为实施例的部件可以定位在多个不同的取向上，所以定向术语的使用是出于图示之目的，而绝非限制。要理解，在不脱离本发明的范围的情况下，也可以使用其他实施例，而且可以做出结构上或者逻辑上的改变。因此，以下详细说明不应被视为具有限制意义，并且本发明的范围由所附权利要求书定义。所描述的实施例使用了具体的语言，但是该具体语言不应被解释为是对所附权利要求书的范围的限制。

在本说明书中，半导体衬底的第二表面被认为是由半导体衬底的下表面或者背侧表面形成，而第一表面则被认为是由半导体衬底的上表面、前表面或者主表面形成。因此，在本说明书中使用的术语“上方”和“下方”描述了结构特征对于另一结构特征的考虑到该取向的相对位置。

术语“电连接”和“电连接至”描述了在两个元件之间的欧姆连接。

接下来参考图1A至图1E对实施例进行描述。本实施例包括，形成具有嵌入在绝缘载体衬底中的镀覆的引线框架的半导体器件。

参考图1A至图1B，提供了具有第一侧101以及与第一侧101相对的第二侧102的载体衬底100，如在图1B中最佳示出的(best shown)，该图1B图示了图1A的放大的部分。