[发明专利]具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供载体衬底，所述载体衬底具有第一侧、第二侧和多个插口，其中每个插口用于接收和承载半导体芯片，所述插口从所述载体衬底的所述第一侧延伸至所述第二侧；

将半导体芯片放置在所述插口中，所述半导体芯片中的每一个具有第一侧和第二侧，其中所述插口使所述半导体芯片的所述第一侧的至少部分和所述第二侧的至少部分暴露出来；

在所述插口中电镀金属，以在所述半导体芯片的所述第二侧上形成与所述半导体芯片的所述第二侧接触的金属结构；以及

切割通过所述载体衬底，以形成单独的半导体器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中每个半导体芯片包括外围区域，并且其中相应的所述半导体芯片放置为，使所述外围区域与相应的所述插口的外围阶形区域接触。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

至少在所述载体衬底的所述第二侧上并且在所述插口的侧壁上，形成种子层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述载体衬底包括：

通过湿法化学蚀刻和激光铣削中的至少一种，形成所述插口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述载体衬底包括：

在所述载体衬底的所述第二侧中、在所选的插口之间，形成沟槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过粘合键合，将所述半导体芯片固定在所述插口中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体衬底包括玻璃和陶瓷中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

提供覆盖衬底，所述覆盖衬底包括第一侧、第二侧、和从所述第一侧延伸至所述第二侧的多个开口；

使所述覆盖衬底的所述第二侧与所述载体衬底的所述第一侧接合并且与所述半导体芯片的所述第一侧接合，其中所述覆盖衬底的所述开口使得所述半导体芯片的所述第一侧的部分暴露出来；

在所述覆盖衬底的所述开口中电镀金属，以至少在所述半导体芯片的所述第一侧上形成与所述半导体芯片的所述第一侧接触的另外的金属结构；以及

切割通过所述覆盖衬底和所述载体衬底，以形成所述单独的半导体器件。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在镀覆所述金属之前，至少在所述覆盖衬底的所述开口的侧壁上并且在所述半导体芯片的所述第一侧的暴露的所述部分上，形成种子层。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

在所述覆盖衬底的所述第一侧上形成绝缘层，以覆盖所述种子层，同时使在所述开口的所述侧壁上和在所述半导体芯片的所述第一侧上的所述种子层暴露出来。

11.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

研磨所述覆盖衬底的所述第一侧和所述载体衬底的所述第二侧中的至少一个。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述覆盖衬底包括玻璃和陶瓷中的至少一种。

13.根据权利要求3所述的方法，其中镀覆金属包括：在所述种子层上形成第一镀覆层，以及当所述第一镀覆层与所述半导体芯片的所述第二侧接触时，在所述半导体芯片的所述第二侧上形成第二镀覆层，其中所述第一镀覆层和所述第二镀覆层一起形成所述金属结构。