[发明专利]高频功率放大器及其制造方法在审
申请号: | 201510084662.6 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN104852696A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 佐藤邦宏;茶木伸;山崎贵嗣;吉冈贵章 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/189 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明得到一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。在半导体基板(2)上各自分离地设置有多个晶体管单元(3)。多个测试用电极(4)与多个晶体管单元(3)分别单独地连接,并从外部向每个晶体管单元(3)独立地供给使对应的晶体管单元(3)单独地动作的电气信号和电力。由此,能够高效地进行高频老化试验。 | ||
搜索关键词: | 高频 功率放大器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高频功率放大器,其特征在于,具有:半导体基板;多个晶体管单元,它们各自分离地设置在所述半导体基板上;以及多个测试用电极,它们与所述多个晶体管单元分别单独地连接,并从外部向每个所述晶体管单元独立地供给使对应的所述晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。
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