[发明专利]高频功率放大器及其制造方法

权利要求书

1.一种高频功率放大器，其特征在于，具有：

半导体基板；

多个晶体管单元，它们各自分离地设置在所述半导体基板上；以及

多个测试用电极，它们与所述多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个所述晶体管单元独立地供给使对应的所述晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。

2.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，

还具有负载电路，该负载电路连接在所述晶体管单元和对应的所述测试用电极之间。

3.根据权利要求2所述的高频功率放大器，其特征在于，

所述测试用电极设有多个电极，

所述负载电路具有多个负载电路，所述多个负载电路具有不同的负载，分别连接在所述晶体管单元和所述多个电极之间。

4.一种高频功率放大器的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在半导体基板上，各自分离地形成多个晶体管单元；

形成与所述多个晶体管单元分别单独地连接的多个测试用电极；以及

使用所述多个测试用电极中的1个，从外部向对应的所述晶体管单元独立地供给电气信号和电力，进行高频老化试验。

5.根据权利要求4所述的高频功率放大器的制造方法，其特征在于，

还具有形成连接在所述晶体管单元和对应的所述测试用电极之间的电阻的工序，

在所述高频老化试验中，在通过温度监视器对所述电阻的电阻值的变化进行测定的同时，调整所述电气信号的条件。

6.根据权利要求4所述的高频功率放大器的制造方法，其特征在于，

还具有形成向各晶体管单元辐射红外线的黑体的工序，

在所述高频老化试验中，在通过温度监视器对所述黑体的温度进行测定的同时，调整所述电气信号的条件。