[发明专利]高频功率放大器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。

背景技术

在高频老化试验中，使用能够对搭载于老化装置中的电应力进行调整的设备(DC电源、RF应力信号发生器、调谐器等RF负载调整设备)，向高频功率放大器的晶体管单元施加DC应力信号或RF应力信号。当前，向并联连接的多个晶体管单元同时施加应力信号，进行高频老化试验(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平01－173761号公报

与DC应力信号相比，施加RF应力信号能够在更广的动作区域中向晶体管单元施加应力，应力效果较大。但是，在使作为最终产品的高频功率放大器中所包含的多个晶体管单元同时动作而进行老化试验的情况下，必须以与个别的最终产品对应的频率和功率使其动作。特别是对于频率高、大功率的高频功率放大器，进行高频老化试验的装置价格高，装置的维护管理也困难。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。

本发明所涉及的高频功率放大器，其特征在于，具有：半导体基板；多个晶体管单元，它们各自分离地设置在所述半导体基板上；以及多个测试用电极，它们与所述多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个所述晶体管单元独立地供给使对应的所述晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。

发明的效果

在本发明中，设置有多个测试用电极，它们与多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个晶体管单元独立地供给使对应的晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。因此，能够高效地进行高频老化试验。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的高频功率放大器的俯视图。

图2是说明高频功率放大器的老化时的动作的图。

图3是表示本发明的实施方式2所涉及的高频功率放大器的俯视图。

图4是表示本发明的实施方式3所涉及的高频功率放大器的俯视图。

图5是表示本发明的实施方式4所涉及的高频功率放大器的俯视图。

标号的说明

1高频功率放大器，2半导体基板，3晶体管单元，4测试用电极，4a、4b、4c多个电极，7a、7b、7c负载电路，8a、8b、8c电阻，9黑体

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式所涉及的高频功率放大器及其制造方法进行说明。有时对相同或对应的结构要素标注相同的标号，并省略重复说明。

实施方式1.

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的高频功率放大器的俯视图。在高频功率放大器1的半导体基板2上各自分离地设置有多个晶体管单元3。多个测试用电极4与多个晶体管单元3分别单独地连接。通过测试用电极4，从外部向每个晶体管单元3独立地供给使对应的晶体管单元3单独地动作的电气信号和电力。

对该高频功率放大器1的制造方法进行说明。首先，在半导体基板2上各自分离地形成多个晶体管单元3。然后，形成与多个晶体管单元3分别单独地连接的多个测试用电极4。

然后，在芯片(晶片)状态下，使RF探头5与多个测试用电极4中的1个进行接触，从外部向对应的晶体管单元3独立地供给电气信号(DC应力信号或RF应力信号)和电力，进行高频老化试验。此外，在RF探头5中设置有与RF应力信号对应的负载电路6。

图2是说明高频功率放大器的老化时的动作的图。在图中，点A是由DC应力信号产生的应力点。点B是由RF应力信号产生的应力范围。在高频老化试验中，通过施加点A所示的由DC应力信号产生的应力，或者，通过进一步施加点B所示的RF应力信号，从而使晶体管单元3的脆弱部位的劣化加速，对达到劣化的晶体管单元3进行检测。

在本实施方式中，设置有与多个晶体管单元3分别单独地连接的多个测试用电极4。因此，能够针对每个进行试验的晶体管单元3，自由地选择RF应力信号的频率和负载。因此，DC应力信号和RF应力信号能够设为在向1个晶体管单元3施加应力时所需最低限度的功率的信号，因此，能够不依赖最终产品的频率和功率，利用更小的功率的信号得到应力效果。另外，能够不依赖最终产品的频率和功率，将应力条件实现通用化。其结果，能够高效地进行高频老化试验。

实施方式2.