[发明专利]一种SOI横向恒流二极管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述SOI横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，P型重掺杂区和N型重掺杂区与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触，P型重掺杂区和N型重掺杂区之间的N型轻掺杂硅通过氧化介质层与金属阴极隔离。本发明采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响；同时采用双载流子导电，增大了器件的电流密度，使器件的线性区更陡峭，夹断电压在5V以内。

主权项

一种SOI横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底(2)、埋氧层(3)、绝缘层上N型轻掺杂硅(4)、P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(6)、氧化介质层(7)、金属阴极(8)、金属阳极(9)、P型掺杂区(10)；所述埋氧层(3)位于衬底(2)之上，所述N型轻掺杂硅(4)位于埋氧层(3)之上，所述P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(6)、P型掺杂区(10)位于N型轻掺杂硅(4)之中，所述P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(6)和P型掺杂区(10)之间，所述P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)与金属阴极(8)欧姆接触，所述P型掺杂区(10)与金属阳极(9)形成欧姆接触，所述P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)之间的N型轻掺杂硅(4)与金属阴极(8)之间通过氧化介质层(7)隔开。