[发明专利]一种SOI横向恒流二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种SOI横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底(2)、埋氧层(3)、绝缘层上N型轻掺杂硅(4)、P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(6)、氧化介质层(7)、金属阴极(8)、金属阳极(9)、P型掺杂区(10)；所述埋氧层(3)位于衬底(2)之上，所述N型轻掺杂硅(4)位于埋氧层(3)之上，所述P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(6)、P型掺杂区(10)位于N型轻掺杂硅(4)之中，所述P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(6)和P型掺杂区(10)之间，所述P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)与金属阴极(8)欧姆接触，所述P型掺杂区(10)与金属阳极(9)形成欧姆接触，所述P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)之间的N型轻掺杂硅(4)与金属阴极(8)之间通过氧化介质层(7)隔开。

2.根据权利要求1所述的SOI横向恒流二极管，其特征在于，所述金属阴极(8)和金属阳极(9)可沿氧化介质层(7)上表面延伸形成场板。

3.根据权利要求1所述的SOI横向恒流二极管，其特征在于，所述SOI横向恒流二极管所采用的半导体材料为硅或碳化硅。

4.根据权利要求1所述的SOI横向恒流二极管，其特征在于，所述SOI横向恒流二极管中相邻元胞中的N型重掺杂区(6)和金属阴极(8)共用，相邻元胞中的P型掺杂区(10)和金属阳极(9)共用。

5.根据权利要求1所述的SOI横向恒流二极管，其特征在于，所述SOI横向恒流二极管中各掺杂类型可相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时，N型掺杂变为P型掺杂。

6.一种SOI横向恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：采用SOI硅片作为衬底，进行P型重掺杂区(5)注入前预氧，进行窗口刻蚀；

步骤2：进行P型重掺杂区(5)注入，然后进行P型重掺杂区(5)推结，刻蚀多余的氧化层；

步骤3：进行N型重掺杂区(6)注入前预氧，进行窗口刻蚀；

步骤4：进行N型重掺杂区(6)注入，刻蚀多余的氧化层；

步骤5：进行P型掺杂区(10)注入前预氧，进行窗口刻蚀；

步骤6：进行P型掺杂区(10)注入，刻蚀多余的氧化层，所述P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(6)和P型掺杂区(10)之间；

步骤7：淀积前预氧，淀积氧化物，致密；

步骤8：光刻欧姆孔；

步骤9：淀积金属层，刻蚀，形成金属阴极(8)和金属阳极(9)。

7.一种SOI横向恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：采用SOI硅片作为衬底，进行P型重掺杂区(5)和P型掺杂区(10)注入前预氧，进行窗口刻蚀；

步骤2：进行P型重掺杂区(5)和P型掺杂区(10)注入，刻蚀多余的氧化层；

步骤3：进行N型重掺杂区(6)注入前预氧，进行窗口刻蚀；

步骤4：进行N型重掺杂区(6)注入，刻蚀多余的氧化层，所述P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(6)和P型掺杂区(10)之间；

步骤5：淀积前预氧，淀积氧化物，致密，同时激活杂质原子；

步骤6：光刻欧姆孔；

步骤7：淀积金属层，刻蚀，形成金属阴极(8)和金属阳极(9)。