[发明专利]一种检测革兰氏阴性菌信号分子的磁性分子印迹传感器

摘要

本发明公开了一种检测革兰氏阴性菌信号分子的磁性分子印迹传感器，属于致病菌快速检测技术领域。本发明通过将表面分子印迹技术、磁分离技术和电化学传感技术相结合而构建一类新型磁性分子印迹电化学传感器，同时具备分子印迹技术的特异性、磁分离技术的可再生性和分离快速性、电化学分析的快速性和灵敏性，能准确地进行低含量的革兰氏阴性菌信号分子的检测。本发明还公开了该磁性分子印迹电化学传感器的制备方法以及运用，可实现对部分革兰氏阴性菌的间接检测，具有灵敏、快速、特异性高等优点，并且价格低廉，适用于食品工业和医疗行业等领域检测革兰氏阴性菌。

主权项

一种磁性分子印迹传感器在检测革兰氏阴性菌信号分子方面的应用，其特征在于，所述应用是：(1)使用磁性分子印迹聚合物微球Fe3O4@SiO2‑MIP对含有不同浓度的革兰氏阴性细菌的群体信号分子标准品溶液进行吸附得到磁性分子印迹电化学传感器，采用微分脉冲伏安法测定电流，得到革兰氏阴性细菌的群体信号分子浓度与电流值的标准曲线；所述Fe3O4@SiO2‑MIP，是以呋喃酮为模板分子，制备出“核‑壳”结构的多功能磁性分子印迹聚合物微球Fe3O4@SiO2‑MIP；(2)将适量所述分子印迹聚合物微球Fe3O4@SiO2‑MIP加入到待测样本中，吸附得到待测样本的磁性分子印迹电化学传感器，采用微分脉冲伏安法测定电流，再根据步骤1得到的标准曲线，定量待测样本中革兰氏阴性菌群体感应信号分子浓度，实现对革兰氏阴性菌的间接检测；所述微分脉冲伏安法的测试条件为：电压扫描范围为‑0.1V到0.65V，脉冲幅度为25mV，脉冲宽度为50ms，脉冲周期为500ms，电势增量为5mV，所有测试均在室温下进行。