[发明专利]一种检测革兰氏阴性菌信号分子的磁性分子印迹传感器有效

专利信息
申请号: 201510072397.X 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN104655695B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 孙秀兰;蒋卉;张银志 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26
代理公司: 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙)11419 代理人: 张勇
地址: 214122 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 革兰氏 阴性 信号 分子 磁性 印迹 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁性分子印迹传感器在检测革兰氏阴性菌信号分子方面的应用,其特征在于,所述应用是:(1)使用磁性分子印迹聚合物微球Fe3O4@SiO2-MIP对含有不同浓度的革兰氏阴性细菌的群体信号分子标准品溶液进行吸附得到磁性分子印迹电化学传感器,采用微分脉冲伏安法测定电流,得到革兰氏阴性细菌的群体信号分子浓度与电流值的标准曲线;所述Fe3O4@SiO2-MIP,是以呋喃酮为模板分子,制备出“核-壳”结构的多功能磁性分子印迹聚合物微球Fe3O4@SiO2-MIP;(2)将适量所述分子印迹聚合物微球Fe3O4@SiO2-MIP加入到待测样本中,吸附得到待测样本的磁性分子印迹电化学传感器,采用微分脉冲伏安法测定电流,再根据步骤1得到的标准曲线,定量待测样本中革兰氏阴性菌群体感应信号分子浓度,实现对革兰氏阴性菌的间接检测;所述微分脉冲伏安法的测试条件为:电压扫描范围为-0.1V到0.65V,脉冲幅度为25mV,脉冲宽度为50ms,脉冲周期为500ms,电势增量为5mV,所有测试均在室温下进行。

2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述标准品溶液是C4-HSL溶液;所述标准曲线为:y=-0.2417x+83.808,C4-HSL标准品浓度在2×10-9-1.02×10-7mol/L范围内具有良好的线性相关,线性相关系数R2=0.9941。

3.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述Fe3O4@SiO2-MIP的制备,是以呋喃酮为模板分子、Fe3O4MNPs为内核、SiO2外为壳,在得到的“核-壳”型磁球Fe3O4@SiO2表面嫁接氨基NH2,并在氨基化的核壳型磁球Fe3O4@SiO2-NH2的表面进行聚合。

4.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,所述Fe3O4MNPs通过溶剂热法制备;所述Fe3O4@SiO2通过Stober法制备;所述Fe3O4@SiO2-NH2通过硅烷试剂KH550对“核-壳”型磁球表面进行接枝氨基。

5.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述Fe3O4@SiO2-MIP的制备包括:(1)将模板分子呋喃酮:功能单体甲基丙烯酸:交联剂二甲基丙烯酸乙二醇酯按照摩尔比1:(1-8):(10-30)的比例混合,加入适量乙腈中,超声;(2)按每毫摩尔模板分子,加入100-300mg的Fe3O4@SiO2-NH2磁性纳米粒子,10-30mg的引发剂偶氮二异丁腈,超声至均匀;(3)在N2氛围下,60-80℃油浴反应12-36h,反应结束后,用外部磁场富集聚合的纳米颗粒,用甲醇/乙酸溶液洗至无模板分子检测出来为止,干燥即得到Fe3O4@SiO2-MIP。

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