[发明专利]一种金刚石肖特基势垒二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金刚石肖特基势垒二极管及其制备方法，目的在于解决目前现有的高度织构化的掺硼多晶金刚石薄膜的肖特基势垒二极管，由于多晶金刚石薄膜仍不可避免地存在大量晶界和位错等缺陷，而陷势必导致肖特基势垒二极管的综合性能下降的问题。本发明首先提出一种交叉“指”状的平面型肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管具有低开启电压、低反向漏电流和较高的整流比，能够将多晶金刚石薄膜中的晶界等缺陷对二级管性能的影响降低到最小化，具有显著的进步意义。同时，本发明具有制作工艺简单、制作成本低的优点，能够有效降低其制造成本，满足大规模工业化生产、应用的需求，具有广阔的应用前景。

主权项

一种金刚石肖特基势垒二极管，其特征在于，包括单晶硅基片、硼掺杂的（110）取向金刚石外延层、交叉指状电极，所述硼掺杂的（110）取向金刚石外延层设置在单晶硅基片上，所述交叉指状电极设置在硼掺杂的（110）取向金刚石外延层表面上；所述交叉指状电极包括肖特基接触电极、欧姆接触电极，所述肖特基接触电极、欧姆接触电极分别位于硼掺杂的（110）取向金刚石外延层表面，所述肖特基接触电极与欧姆接触电极之间呈交叉指状分布；该二极管的反向漏电流能低至1×10‑8 A，开启电压能低至3 V，整流比达104。