[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201510043506.5 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810276A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 滨正树;笼利康明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法。为了在碳化硅衬底上方形成MOSFET，当执行伴随有氮化的热处理以降低栅绝缘膜和碳化硅衬底之间边界的附近的界面态密度时，由于MOSFET的电容和栅电压之间关系而发生CV滞后，由此降低了半导体器件的可靠性。为了解决上述问题，对碳化硅衬底上方形成的绝缘膜执行伴随有氮化的热处理(步骤S7)。然后，在惰性气体气氛中加热绝缘膜(步骤S9)。此后，具有由绝缘膜构成的栅绝缘膜的场效应晶体管形成在碳化硅衬底上方。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a1)制备碳化硅衬底；(b1)在所述碳化硅衬底中形成源/漏区；(c1)在所述碳化硅衬底的顶表面上方形成第一绝缘膜；(d1)在第一气体气氛中对所述第一绝缘膜和所述碳化硅衬底执行伴随有氮化的第一热处理；(e1)在步骤(d1)之后，在第二气体气氛中对所述第一绝缘膜和所述碳化硅衬底执行第二热处理，所述第二气体气氛是惰性气体，以及(f1)在步骤(e1)之后，在所述碳化硅衬底上方经由所述第一绝缘膜形成栅电极，其中，所述栅电极、所述第一绝缘膜和所述源/漏区形成场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
