[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a1)制备碳化硅衬底；

(b1)在所述碳化硅衬底中形成源/漏区；

(c1)在所述碳化硅衬底的顶表面上方形成第一绝缘膜；

(d1)在第一气体气氛中对所述第一绝缘膜和所述碳化硅衬底执行伴随有氮化的第一热处理；

(e1)在步骤(d1)之后，在第二气体气氛中对所述第一绝缘膜和所述碳化硅衬底执行第二热处理，所述第二气体气氛是惰性气体，以及

(f1)在步骤(e1)之后，在所述碳化硅衬底上方经由所述第一绝缘膜形成栅电极，其中，所述栅电极、所述第一绝缘膜和所述源/漏区形成场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(e2)在步骤(e1)之后并且在步骤(f1)之前，将所述第一绝缘膜和所述碳化硅衬底暴露于大气。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(c1)中，对所述碳化硅衬底执行第三热处理，以在所述碳化硅衬底的顶表面上方形成所述第一绝缘膜。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第三热处理是在包含选自氧气和水蒸气中的至少一种的气氛中执行的。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在步骤(c1)中，所述第一绝缘膜是通过采用ALD或CVD方法形成的。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中步骤(c1)具有以下子步骤：

(c2)对所述碳化硅衬底执行第四热处理，以在所述碳化硅衬底的顶表面上方形成第二绝缘膜，以及

(c3)通过采用ALD或CVD方法在所述第二绝缘膜上方形成第三绝缘膜，以形成包括所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的所述第一绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(c4)在步骤(c2)之后并且在步骤(c3)之前，在第三气体气氛中对所述第二绝缘膜和所述碳化硅衬底执行伴随有氮化的第五热处理。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一气体包含选自一氧化二氮，一氧化氮以及氨气中的至少一种。

9.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(e2)中，具有700℃或更低的温度的所述第一绝缘膜和所述碳化硅衬底被暴露于大气。

10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第二气体包含选自氮气、氩气和氦气中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第二热处理在850℃或更高的温度下执行。

12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(a2)在步骤(a1)之后并且步骤(b1)之前，在所述碳化硅衬底的主表面中形成凹槽，

其中，所述栅电极在步骤(f1)中形成在所述凹槽中。