[发明专利]一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件

摘要

本发明涉及一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件，包括P型衬底、第一高压N型阱、第二高压N型阱、第一P‑body注入区、第二P‑body注入区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区和多个有氧化隔离层。与现有技术相比，本发明在正向或负向ESD脉冲作用下，内部纵向NPN结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个纵向NPN晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径，可以通过分别拉伸两个NPN的发射区宽度，单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件使用环境的灵活性。

主权项

1.一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件，其特征在于：包括P型衬底(111)，所述P型衬底(111)内设有第一高压N型阱(109)和第二高压N型阱(110)，第一高压N型阱(109)内注有第一P‑body注入区(107) 和第二N+注入区(103)，所述的第一P‑body注入区(107)内注有第一N+注入区(101)和第一P+注入区(102)，第二高压N型阱(110)内注有第三N+注入区(104)和第二P‑body注入区(108)，所述的第二P‑body 注入区(108)内注有第二P+注入区(105)和第四N+注入区(106)，其中：所述P型衬底(111)、第一高压N型阱(109)和第二高压N型阱(110) 上均覆盖有氧化隔离层，从左到右依次是第一氧化隔离层(112)、第二氧化隔离层(113)、第三氧化隔离层(114)、第四氧化隔离层(115)和第五氧化隔离层(116)，第一N+注入区(101)引出一个端口1，第四N+注入区(106) 引出一个端口2，第一P+注入区(102)和第二N+注入区(103)与第三 N+注入区(104)和第二P+注入区(105)利用金属线相连。