[发明专利]一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件有效
| 申请号： | 201510027464.6 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN104600068B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘志伟 | 申请（专利权）人： | 湖州迈康电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L29/732;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王晓峰 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入区 正向 双向ESD保护器件 高压N型阱 负向 氧化隔离层 正向二极管 触发导通 器件使用 维持电压 发射区 衬底 导通 拉伸 泄放 串联 | ||
1.一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件，其特征在于：包括P型衬底(111)，所述P型衬底(111)内设有第一高压N型阱(109)和第二高压N型阱(110)，第一高压N型阱(109)内注有第一P-body注入区(107) 和第二N+注入区(103)，所述的第一P-body注入区(107)内注有第一N+注入区(101)和第一P+注入区(102)，第二高压N型阱(110)内注有第三N+注入区(104)和第二P-body注入区(108)，所述的第二P-body 注入区(108)内注有第二P+注入区(105)和第四N+注入区(106)，其中：所述P型衬底(111)、第一高压N型阱(109)和第二高压N型阱(110) 上均覆盖有氧化隔离层，从左到右依次是第一氧化隔离层(112)、第二氧化隔离层(113)、第三氧化隔离层(114)、第四氧化隔离层(115)和第五氧化隔离层(116)，第一N+注入区(101)引出一个端口1，第四N+注入区(106) 引出一个端口2，第一P+注入区(102)和第二N+注入区(103)与第三 N+注入区(104)和第二P+注入区(105)利用金属线相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件，其特征在于：当端口1上有正向ESD事件来临时，第一N+注入区(101)、 第一高压N型阱(109)与第一P-body注入区(107)构成一个纵向NPN 结构和第二P-body注入区(108)与第四N+注入区(106)所形成的正向 二极管结构串联；当端口2上有正向ESD事件来临时，第四N+注入区(106)、第二高压N型阱(110)与第二P-body注入区(108)构成一个纵向NPN 结构和由第一P-body注入区(107)与第一N+注入区(101)所形成的正 向二极管结构串联。
3. 根据权利要求1所述的一种基于纵向NPN结构的高压双向ESD保护器件，其特征在于：通过拉伸第一N+注入区(101)的面积以及第四N+注入区(106) 的面积来调整正负方向ESD事件来临时器件的维持电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
