[发明专利]晶体管及其制作方法有效
申请号: | 201510019394.X | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN105321823B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 冉晓雯;蔡娟娟;乔欣;陈蔚宗 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/78;H01L29/423 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶体管及其制作方法,该晶体管包括基板、源极、漏极、主动部、鳍状栅极以及绝缘层。源极配置于基板上。漏极配置于基板上。主动部连接源极与漏极。鳍状栅极包覆主动部。绝缘层的第一部分分隔鳍状栅极与主动部,绝缘层的第二部分分隔鳍状栅极与基板,绝缘层的第三部分分隔鳍状栅极与源极,且分隔鳍状栅极与漏极,且绝缘层的第四部分配置于鳍状栅极的背对于主动部的表面上。绝缘层为一体成型。一种晶体管的制作方法也被提出。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 鳍状 主动部 晶体管 基板 漏极 分隔 源极 制作 一体成型 连接源 包覆 配置 | ||
【主权项】:
1.一种晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供基底;在该基底上形成鳍状栅极;在该鳍状栅极上覆盖绝缘层;提供基板;在该基板上形成可塑形金属氧化物层,其中该可塑形金属氧化物层为尚具可塑性的未固化阶段的金属氧化物层;将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中;在将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中之后,使该可塑形金属氧化物层固化;以及对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的部分进行处理,以使该部分的导电性提高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司,未经元太科技工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510019394.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法
- 下一篇:非水电解质电池及电池包
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造