[发明专利]晶体管及其制作方法

说明书

本发明提供一种晶体管及其制作方法，该晶体管包括基板、源极、漏极、主动部、鳍状栅极以及绝缘层。源极配置于基板上。漏极配置于基板上。主动部连接源极与漏极。鳍状栅极包覆主动部。绝缘层的第一部分分隔鳍状栅极与主动部，绝缘层的第二部分分隔鳍状栅极与基板，绝缘层的第三部分分隔鳍状栅极与源极，且分隔鳍状栅极与漏极，且绝缘层的第四部分配置于鳍状栅极的背对于主动部的表面上。绝缘层为一体成型。一种晶体管的制作方法也被提出。

技术领域

本发明是有关于一种电子元件及其制作方法，且特别是有关于一种晶体管及其制作方法。

背景技术

随着现代半导体元件技术的发展与成熟，集成电路的集成度的日益提升，半导体元件的尺寸亦愈趋缩小，提高晶体管效能的难度亦愈加提高。为了克服这些技术上的困难，已提出许多场效晶体管结构的种类。

现有氧化物晶体管多为具有平面通道的平面式金氧半导体场效晶体管(metaloxide semiconductor，简称MOSFET)。随着其尺寸缩小，通道长度(channel length)也必须随之缩小。然而，当金氧半导体场效晶体管的通道长度缩减到某一定程度时，各种因通道长度变小而衍生的问题，像是短通道效应(short channel effect)、次临界摆幅(sub-threshold swing)变大等便会发生，造成临界电压下降、元件产生漏电与功率损耗等问题。鳍式场效晶体管(fin field effect transistor，简称FinFET)因具有三面立体式的栅极结构，具有较佳的栅极控制能力，故将可以使用更短的通道长度，是解决上述问题的主流方案之一。

发明内容

本发明提供一种晶体管及其制作方法。

本发明提供一种晶体管的制作方法，得以较简易的加工方式制作出高效能的晶体管。

本发明提供一种晶体管，其较易制作，且具有高效能。

本发明的一实施例的晶体管的制作方法包括：提供基底；在基底上形成鳍状栅极；在鳍状栅极上覆盖绝缘层；提供基板；在基板上形成可塑形金属氧化物层；将鳍状栅极插置于可塑形金属氧化物层中；在将鳍状栅极插置于可塑形金属氧化物层中之后，使可塑形金属氧化物层固化；以及对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理，以使该部分的导电性提高。

在本发明的一实施例中，上述的晶体管的制作方法还包括在将鳍状栅极插置于可塑形金属氧化物层中之后，移除基底。

在本发明的一实施例中，上述的鳍状栅极具有凹槽，且将鳍状栅极插置于可塑形金属氧化物层中的步骤包括倒置鳍状栅极，以及以鳍状栅极的凹槽的顶部的开口朝向可塑形金属氧化物层的方式，将鳍状栅极插置于可塑形金属氧化物层中。

在本发明的一实施例中，上述的晶体管的制作方法当将鳍状栅极插置于可塑形金属氧化物层中后，可塑形金属氧化物层的材料填满凹槽。

在本发明的一实施例中，上述的对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理，以使部分的导电性提高的步骤为使鳍状栅极暴露出的部分成为导体。

在本发明的一实施例中，上述的对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理，以使部分的导电性提高的步骤为使用等离子体处理法对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理。

在本发明的一实施例中，上述的对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理，以使部分的导电性提高的步骤为使用绝缘层覆盖法对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理。

在本发明的一实施例中，上述的对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理，以使部分的导电性提高的步骤为使用离子布植法对可塑形金属氧化物层的被鳍状栅极暴露出的部分进行处理。

在本发明的一实施例中，上述的使可塑形金属氧化物层固化的方法包括加热固化法或照光固化法。