[发明专利]晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在该基底上形成鳍状栅极；

在该鳍状栅极上覆盖绝缘层；

提供基板；

在该基板上形成可塑形金属氧化物层，其中该可塑形金属氧化物层为尚具可塑性的未固化阶段的金属氧化物层；

将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中；

在将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中之后，使该可塑形金属氧化物层固化；以及

对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的部分进行处理，以使该部分的导电性提高。

2.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：

在将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中之后，移除该基底。

3.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，该鳍状栅极具有凹槽，且将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中的步骤包括：

倒置该鳍状栅极；以及

以该鳍状栅极的该凹槽的顶部的开口朝向该可塑形金属氧化物层的方式，将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中。

4.根据权利要求3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，当将该鳍状栅极插置于该可塑形金属氧化物层中后，该可塑形金属氧化物层的材料填满该凹槽。

5.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理，以使该部分的导电性提高的步骤为使该鳍状栅极暴露出的该部分成为导体。

6.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理，以使该部分的导电性提高的步骤为使用等离子体处理法对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理。

7.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理，以使该部分的导电性提高的步骤为使用绝缘层覆盖法对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理。

8.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理，以使该部分的导电性提高的步骤为使用离子布植法对该可塑形金属氧化物层的被该鳍状栅极暴露出的该部分进行处理。

9.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，使该可塑形金属氧化物层固化的方法包括加热固化法或照光固化法。

10.一种晶体管，其特征在于，包括：

基板；

可塑形金属氧化物层，配置于该基板上，且包括：

源极；

漏极；以及

主动部，连接该源极与该漏极；

鳍状栅极，包覆该主动部，其中该可塑形金属氧化物层被该鳍状栅极暴露出且经处理的部分形成该源极与该漏极，该可塑形金属氧化物层被鳍状栅极包覆且未被处理的部分形成该主动部；以及

绝缘层，该绝缘层的第一部分分隔该鳍状栅极与该主动部，该绝缘层的第二部分分隔该鳍状栅极与该基板，该绝缘层的第三部分分隔该鳍状栅极与该源极，且分隔该鳍状栅极与该漏极，且该绝缘层的第四部分配置于该鳍状栅极的背对于该主动部的表面上，其中该绝缘层为一体成型。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其特征在于，该主动部的具有最大摩尔百分率的金属元素的摩尔百分率与该源极的具有最大摩尔百分率的金属元素的摩尔百分率的差值的绝对值小于1％，且该主动部的具有最大摩尔百分率的金属元素的摩尔百分率与该漏极的具有最大摩尔百分率的金属元件的摩尔百分率的差值的绝对值小于1％。

12.根据权利要求10所述的晶体管，其特征在于，该鳍状栅极的材质包括金属。