[发明专利]一种基于闪存错误校验的读写调制方法

摘要

本发明公开了一种基于闪存错误校验的读写调制方法,使用LDPC错误校验码为中介，建立闪存读写延迟关系模型。基于该模型，对读写延迟的调制主要包括以下步骤写请求根据性能需求和系统状态确定数据编程速度，即确定编程步幅电压ΔVpp。记录写入的数据页的步幅电压ΔVpp。读取数据时，根据读取的数据在编程时的ΔVpp，综合其它干扰因素，计算数据错误率。由于LDPC码的纠错能力与读取时的参考电压数目相关，根据计算出的错误率，选择能够保证纠错能力的最少参考电压数目，从而确保能够正确解码出数据，确定读取数据。本发明确定了读写延迟的关系，通过调节编程时ΔVpp来改变读请求的执行时间。另一方面，相对于传统LDPC解码从硬判决开始逐步增加参考电压数目的方式减少了读请求的执行时间。

主权项

一种基于闪存错误校验的读写调制方法，其特征在于：1)闪存中基于错误校验的读写延迟模型，具体如下：其中，t_P表示编程时间，与步幅电压ΔVpp成反比；t_R是一个页的数据读取时间，从数据页中读到页缓存，与参考电压的数目N成正比；t_RC是对一个数据页读取之后获取的信息传输时间，与信息长度成正比；由于N个参考电压将存储元的电压状态分为N+1个区域，则需要比特来表示每个存储元所在的状态，所以t_RC与成正比；N的大小需要根据数据的错误率来决定，以保证能对该页数据正确解码；编程步幅电压为ΔVpp据时，错误率为RBER(ΔVpp)，N个参考电压的LDPC解码能容忍的错误率为需要满足的条件是数据的错误率在可正确解码范围内；模型建立了写请求的编程时延和读请求的读取时延、传输时延与编程步幅、LDPC解码的参考电压数目之间的关系；2)利用读写请求之间的关系，通过对写请求的编程步幅电压的改变，来达到对读请求执行时间的调制。