[发明专利]一种基于闪存错误校验的读写调制方法

权利要求书

1.一种基于闪存错误校验的读写调制方法，其特征在于：

1)闪存中基于错误校验的读写延迟模型，具体如下：

其中，t_P表示编程时间，与步幅电压ΔV_pp成反比；t_R是一个页的数据读取时间，从数据页中读到页缓存，与参考电压的数目N成正比；t_RC是对一个数据页读取之后获取的信息传输时间，与信息长度成正比；由于N个参考电压将存储元的电压状态分为N+1个区域，则需要比特来表示每个存储元所在的状态，所以t_RC与成正比；N的大小需要根据数据的错误率来决定，以保证能对该页数据正确解码；编程步幅电压为ΔV_pp据时，错误率为RBER(ΔV_pp)，N个参考电压的LDPC解码能容忍的错误率为需要满足的条件是数据的错误率在可正确解码范围内；

模型建立了写请求的编程时延和读请求的读取时延、传输时延与编程步幅、LDPC解码的参考电压数目之间的关系；

2)利用读写请求之间的关系，通过对写请求的编程步幅电压的改变，来达到对读请求执行时间的调制。

2.根据上述权利要求1所述的基于闪存错误校验的读写调制方法，其特征在于：

1)读写延迟模型建立的基础是对不同错误率的数据的正确校验；

2)数据的编程延迟决定其错误率，读取延迟需要保证正确解码一定错误率的数据；

3)根据错误率，决定LDPC解码的参考电压数目，一次读出数据；

4)影响错误率的因素包括编程速度、保存时间、编程干扰；

5)快速写入的数据读取速度慢，慢速写入的数据读取速度快。